[发明专利]一种相变存储器的编程系统及方法无效
| 申请号： | 201210549545.9 | 申请日： | 2012-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN102982841A | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | 李喜;宋志棠;陈一峰;陈后鹏;蔡道林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | G11C11/56 | 分类号： | G11C11/56 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 相变 存储器 编程 系统 方法 | ||
1.一种相变存储器的编程方法，其特征在于，所述编程方法至少包括以下步骤：
1）设置相变存储器的n个擦操作子使能模块有效，将所述n个擦操作子使能模块所对应
的n个擦操作驱动通道分为m组；
2）第一组擦操作驱动通道在第一个擦操作子控制模块的控制下同时产生至少一个擦操
作脉冲，该操作脉冲分别对相变存储器的第一目标地址进行擦操作；
3）第二组擦操作驱动通道在第二个擦操作子控制模块的控制下同时产生至少一个擦操
作脉冲，该操作脉冲分别对相变存储器的第二目标地址进行擦操作；
4）依次类推，直至完成第m组擦操作驱动通道在第m个擦操作子控制模块的控制下同
时产生至少一个擦操作脉冲，该操作脉冲分别对相变存储器的第m目标地址进行擦操作。
2.根据权利要求1所述的相变存储器的编程方法，其特征在于：所述m的取值范围为1＜m≤TSET/TRESET，其中，TSET为写操作周期，TRESET为擦操作周期。
3.一种相变存储器的编程系统，其特征在于，所述编程系统至少包括：
擦操作控制模块，用于产生擦操作驱动的控制信号；
擦操作使能模块，与所述擦操作控制模块相连接，用于产生擦操作的使能信号；
擦操作驱动模块，与所述擦操作使能模块相连接，用于产生擦操作脉冲，所述擦操作驱动模块在所述对应的擦操作控制模块产生的控制信号的控制下，根据擦操作使能信号是否有效依次产生擦操作脉冲。
4.根据权利要求3所述的相变存储器的编程系统，其特征在于：所述擦操作驱动模块具有n个擦操作驱动通道。
5.根据权利要求4所述的相变存储器的编程系统，其特征在于：所述n个擦操作驱动通道分为m组，1＜m≤TSET/TRESET，其中，TSET为写操作周期，TRESET为擦操作周期。
6.根据权利要求3或5所述的相变存储器的编程系统，其特征在于：所述擦操作控制模块包括m个擦操作子控制模块，所述每一组擦操作驱动通道对应于一个擦操作子控制模块。
7.根据权利要求6所述的相变存储器的编程系统，其特征在于：所述每个擦操作子控制模块均为自身对应的一组擦操作驱动通道产生一个擦操作控制信号。
8.根据权利要求5所述的相变存储器的编程系统，其特征在于：所述m组擦操作驱动通道由一个擦操作控制模块控制，所述擦操作控制模块包括逻辑电路。
9.根据权利要求3所述的相变存储器的编程系统，其特征在于：所述擦操作脉冲包括电流脉冲或电压脉冲。
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