[发明专利]通信电源的控制装置及方法有效
申请号: | 201210550212.8 | 申请日: | 2012-12-18 |
公开(公告)号: | CN103872906B | 公开(公告)日: | 2018-08-24 |
发明(设计)人: | 杜丹丹;王洪来;王新军 | 申请(专利权)人: | 南京中兴新软件有限责任公司 |
主分类号: | H02M3/155 | 分类号: | H02M3/155 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚;梁丽超 |
地址: | 210012 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 通信 电源 控制 装置 方法 | ||
1.一种通信电源的控制装置,其特征在于,包括:
分压器,由场效应晶体管和与所述场效应晶体管串联的匹配电阻组成,用于从辅助电源上分压;
运算放大器,与所述分压器连接,用于根据所述场效应晶体管的电压控制所述场效应晶体管的导通和关断;
告警检测电路,与所述分压器和所述运算放大器连接,用于在检测到所述场效应晶体管关断时,发出指示当前通信电源处于停止工作状态的告警信号;
其中,通过设置所述辅助电源和所述匹配电阻的参数,使得所述场效应晶体管的导通压降小于一个可设置的正值,其中,所述正值能有效关断所述场效应晶体管。
2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述场效应晶体管为金属氧化层半导体场效应晶体管MOSFET。
3.根据权利要求2所述的装置,其特征在于,所述运算放大器的正输入端与所述MOSFET的源极连接,所述运算放大器的负输入端与所述MOSFET的漏极连接。
4.根据权利要求3所述的装置,其特征在于,所述运算放大器通过将检测得到的所述MOSFET的源极和漏极之间的输入端电压与预先设定的电压阈值做比较的方式,控制所述MOSFET的导通或关断。
5.根据权利要求4所述的装置,其特征在于,在所述输入端电压小于所述电压阈值的情况下,所述运算放大器输出低电平,关断所述MOSFET,否则,所述运算放大器输出高电平,保持所述MOSFET的导通状态。
6.一种通信电源的控制方法,其特征在于,包括:
运算放大器根据分压器中场效应晶体管的电压控制所述场效应晶体管的导通和关断,其中,所述分压器是由所述场效应晶体管和与所述场效应晶体管串联的匹配电阻组成的,用于从辅助电源上分压;
告警检测电路在检测到所述场效应晶体管已经关断的情况下,发出指示当前通信电源处于停止工作状态的告警信号;
其中,通过设置所述辅助电源和所述匹配电阻的参数,使得所述场效应晶体管的导通压降小于一个可设置的正值,其中,所述正值能有效关断所述场效应晶体管。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述场效应晶体管为金属氧化层半导体场效应晶体管MOSFET。
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述运算放大器的正输入端与所述MOSFET的源极连接,所述运算放大器的负输入端与所述MOSFET的漏极连接。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述运算放大器根据所述场效应晶体管的电压控制所述场效应晶体管的导通和关断,包括:
所述运算放大器通过检测方式得到所述MOSFET的源极、漏极之间的输入端电压;
在所述输入端电压小于预先设定的电压阈值的情况下,所述运算放大器输出低电平,关断所述MOSFET,否则,所述运算放大器输出高电平,保持所述MOSFET的导通状态。
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