[发明专利]非感光性聚酰亚胺钝化层的制作方法

权利要求书

1.一种非感光性聚酰亚胺钝化层的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、提供一需要在表面制作非感光性聚酰亚胺钝化层的基片；

步骤二、对所述基片表面进行等离子体处理，在所述等离子体处理过程中通入氧气；或者在所述基片表面生长一层二氧化硅层或氮氧化硅层，并采用光刻刻蚀工艺对所述二氧化硅层或所述氮氧化硅层进行处理形成图形结构，刻蚀后所述二氧化硅层或所述氮氧化硅层仅位于需要形成所述非感光性聚酰亚胺钝化层的区域；

步骤三、在所述基片表面上旋涂一层非感光性聚酰亚胺；

步骤四、采用两段式软烘法对所述非感光性聚酰亚胺进行软烘，所述两段式软烘法包括主烘和辅烘，所述辅烘的温度高于所述主烘的温度；

步骤五、在所述非感光性聚酰亚胺的表面上涂布光刻胶，对所述光刻胶进行软烘；

步骤六、对所述光刻胶进行曝光，该曝光定义出所述非感光性聚酰亚胺钝化层的形成区域的图形结构；

步骤七、进行显影，该显影工艺将所述非感光性聚酰亚胺钝化层的形成区域外的所述光刻胶以及所述非感光性聚酰亚胺去除，仅保留所述非感光性聚酰亚胺钝化层的形成区域的所述光刻胶以及所述非感光性聚酰亚胺；

步骤八、用光刻胶剥离工艺去除显影后的所述光刻胶；

步骤九、对去除光刻胶后的所述非感光性聚酰亚胺进行固化并形成所述非感光性聚酰亚胺钝化层。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤一中的所述基片中形成有半导体器件且所述半导体器件的顶层金属连线已经制作完毕，所述非感光性聚酰亚胺钝化层用于形成在所述顶层金属连线上方并作为所述半导体器件的钝化层；或者，步骤一中的所述基片中形成有半导体器件且所述半导体器件的顶层金属连线已经制作完毕、且在所述顶层金属连线上形成有介质层钝化层，所述非感光性聚酰亚胺钝化层用于形成在所述介质层钝化层上方并和所述介质层钝化层一起作为所述半导体器件的钝化层。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤二中所述等离子体处理中通入氧气的流量为50～3000标准状态的立方厘米/分钟，源射频功率为100瓦～1500瓦，气体压强为20毫托～3000毫托。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤二中所述二氧化硅层或所述氮氧化硅层的厚度为大于且小于等于2000步骤二中的所述二氧化硅层或所述氮氧化硅层含有掺杂杂质。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤三中的所述非感光性聚酰亚胺对波长436nm的G-line、365nm的I-line、248nm的KrF和193nm的ArF中的任意一种或多种光不具有光敏性；所述非感光性聚酰亚胺涂布的厚度为15μm～50μm。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤四中所述主烘的温度不高于110℃、时间不少于2分钟，所述辅烘的温度不高于130℃、时间不高于5分钟。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于：步骤四中所述主烘的温度为110℃、时间为3分钟，所述辅烘的温度为120℃、时间为1.5分钟。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤五中涂布的所述光刻胶为曝光波长为波长436nm的G-line、365nm的I-line、248nm的KrF和193nm的ArF中的任意一种或多种的正性或负性光刻胶。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤六的所述曝光和步骤七的所述显影之间不包括曝光后烘烤工艺。