[发明专利]功率器件的散热装置在审
| 申请号： | 201210551326.4 | 申请日： | 2012-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN103871983A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 崔万恒;陈丽霞;黄柱 | 申请（专利权）人： | 中兴通讯股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/373 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;梁丽超 |
| 地址： | 518057 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功率 器件 散热 装置 | ||
1.一种功率器件的散热装置，其特征在于，包括：
功率器件、散热器件，以及连接于所述功率器件和所述散热器件之间的导热绝缘器件，其中，所述导热绝缘器件与所述功率器件和所述散热器件均采用焊接或粘接方式连接，所述导热绝缘器件为陶瓷复合金属基板。
2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述散热器件为散热基板。
3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述散热基板的包括：铜基板或铝基板。
4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述陶瓷复合金属基板是在1065℃-1085℃的条件下，由三氧化二铝陶瓷基板或氮化铝陶瓷基板与金属熔合形成的，其中，熔合后的金属形成金属基片。
5.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，所述三氧化二铝陶瓷基板或所述氮化铝陶瓷基板的双面均熔合覆盖有所述金属基片。
6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，与所述散热器件连接的所述金属基片为与三氧化二铝陶瓷基板或所述氮化铝陶瓷基板大小相同的整片金属板，与所述功率器件连接的所述金属基片是经过熔合之后再经过蚀刻形成的金属线路板。
7.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，所述金属为铜。
8.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，在所述散热基板与所述导热绝缘器件焊接之前，所述散热基板的表面需要进行表面处理操作。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的装置，其特征在于，所述焊接方式包括：回流焊接。
10.根据权利要求1至8中任一项所述的装置，其特征在于，所述粘接方式包括：采用导热粘接胶粘接。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中兴通讯股份有限公司，未经中兴通讯股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210551326.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种化学抛光方法
- 下一篇：用于磁控溅射的掺氟氧化锡靶材及其制备方法
