[发明专利]高透高隔热节能防爆膜及其制备工艺

权利要求书

1. 一种高透高隔热节能防爆膜，其特征在于：包括一基材层（1），此基材层（1）一表面磁控溅射有第一金属铟层（2），此第一金属铟层（2）另一表面磁控溅射有作为隔热层的金属银层（31）或金属铝层（32），此金属银层（31）或金属铝层（32）另一表面磁控溅射有第二金属铟层（4）；所述第一金属铟层厚度为2~15nm，所述金属银层或金属铝层厚度为8~55nm，所述第二金属铟层5~20nm。

2. 根据权利要求1所述的高透高隔热节能防爆膜，其特征在于：所述基材层磁控溅射前在150~160℃下进行预热收缩处理。

3. 根据权利要求1所述的高透高隔热节能防爆膜，其特征在于：所述塑料基膜和第一金属铟层之间涂覆有厚度为0.5~5μm丙烯酸乳液层。

4. 根据权利要求1所述的高透高隔热节能防爆膜，其特征在于：所述基材层厚度为12~75μm。

5. 根据权利要求1所述的高透高隔热节能防爆膜，其特征在于：所述基材层为聚酯薄膜层或聚甲基丙烯酸甲酯薄膜层或聚丙烯薄膜层或聚酰胺薄膜层。

6. 一种权利要求1所述高透高隔热节能防爆膜的制备工艺，其特征在于：包括以下步骤：

步骤一、制备一塑料基膜，为聚酯薄膜或者是聚甲基丙烯酸甲酯 （PMMA）薄膜或聚丙烯（PP）薄膜或聚酰胺（PA）薄膜，厚度为12~75μm，所述塑料基膜为热稳定性塑料基膜；

步骤二、在步骤一的塑料基膜上磁控溅射沉积作为防氧化保护的第一金属铟层，工艺条件为：采用纯度为99.99%的铟（In）的靶材，尺寸为都为1600×300×100mm，溅射气体为99.999%的高纯氩气，腔体内部的真空度为6.1×10^-4Pa，工作压力设为0.7 Pa，靶材距离固定在75mm，氩气的流量为22 sccm; 铟（In）的溅射功率都是40 W，溅射速率分别4.0nm/min，第一金属铟层厚度为2 nm到15nm；

步骤三、在第一金属铟层另一表面磁控溅射沉积一隔热层，此隔热层金属银层或金属铝层；工艺条件为：银的靶材尺寸为1600×300×100 mm，纯度为99.99%，溅射气体为99.999%高纯氩气，腔体内部的真空度为6. 1×10^-4Pa，工作压力设为0.7 Pa，靶材距离固定在75 mm，氩气的流量为22sccm，银靶材溅射功率是40W，溅射速率为 6.4 nm/min，所述隔热层厚度为8~55nm； 

步骤四、然后在步骤三的隔热层另一表面磁控溅射沉积第二金属铟层，工艺条件为：靶材尺寸为都为1600×300×100 mm，纯度为99.99%，溅射气体为99.999%的高纯氩气，腔体内部的真空度为6.1×10^-4Pa，工作压力设为0.7 Pa，靶材距离固定在75mm，氩气的流量为22sccm，铟的溅射功率都是40 W，溅射速率分别4.0nm/min，所述第二金属铟层厚度为5~20nm。

7. 根据权利要求6所述的制备工艺，其特征在于：所述步骤一的塑料基膜在150~160℃下进行预热收缩处理。

8. 根据权利要求7所述的制备工艺，其特征在于：其特征在于：所述步骤一和步骤二之间在所述塑料基膜上预涂丙烯酸乳液层，此其厚度为0.5~5.0μm。

9. 根据权利要求6所述的制备工艺，其特征在于：在所述步骤四中第二金属铟层溅射前，先对铟靶材进行5min的预溅射，以除去靶表面残留的氧化物和污染物。

10. 根据权利要求6所述的制备工艺，其特征在于：其特征在于：所述隔热层为金属铝层，此金属铝层厚度为20~50nm。