[发明专利]一种基于注入距离的电流源模型的建立方法

说明书

技术领域

本发明属于微电子的集成电路设计技术领域，如航空电子的中的辐照加效应仿真技术，特别涉及航空专用集成电路设计评估方法。

背景技术

太空中的高能粒子包括重粒子、质子、α粒子、中子等。它们能导致半导体器件发生单粒子效应，严重影响到航天器的可靠性和寿命。单粒子效应是指辐射中的高能带电粒子在穿过电子器件敏感区时，能量沉积，产生大量的电子-空穴对，并在漂移过程中分别被n区和p区所收集，从而产生瞬时脉冲电流，使器件敏感节点的逻辑状态受到影响的现象。其中，造成器件节点产生电平错误翻转的单粒子效应称为为（Single Event Upset,SEU）。因此如何用电流源表征该瞬时脉冲电流，对于评估器件的单粒子翻转效应敏感性非常重要。

现在采用的电流源注入模型是G.C.Messenger于文献“Collection of charge on junction nodes fromion tracks,”IEEE Trans.Nucl.Sci.,vol.NS-29,no.6,pp.2024–2031,Dec.1982.中提出的双指数模型，如下：

Ip(t)=Qτα-τβ(e-t/τα-e-t/τβ)---(1)]]>

其中，Q为收集的电荷量，τ_α是结电流的下降时间常数，τ_β结电流的上升时间常数，τ_α和τ_β取决于工艺参数，t为时间变量。

该模型可以评估用来评估器件的单粒子翻转阈值，但是该模型无法评估粒子对于周围器件的影响。在深亚微米和纳米工艺下，由于电荷共享效应的存在，评估粒子对于周围器件的影响对于整体评估电路的单粒子敏感性非常重要。

发明内容

本发明的目的是为了解决上述现有的电流源注入模型无法评估粒子对于周围器件的影响，提出了一种基于注入距离的电流源模型的建立方法。

本发明的技术方案为：一种基于注入距离的电流源模型的建立方法，具体步骤如下：

S1.根据注入离子的种类，确定注入离子的线性传输能量；

S2.设定需要评估的注入距离；

S3.根据步骤S1得到的注入离子的线性传输能量和S2中设定的注入距离，得到注入电流表示式。

上述注入电流表示式具体为：