[发明专利]包括多电平单元的非易失性存储器设备和系统及方法有效
申请号: | 201210551887.4 | 申请日: | 2008-06-30 |
公开(公告)号: | CN102982844A | 公开(公告)日: | 2013-03-20 |
发明(设计)人: | 姜东求;蔡东赫;李承宰 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C16/26 | 分类号: | G11C16/26;G11C11/56 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 张泓 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包括 电平 单元 非易失性存储器 设备 系统 方法 | ||
1.一种非易失性存储器设备的操作方法,所述非易失性存储器设备包括在第一状态或第二状态中编程的多个存储器单元,所述第一状态和第二状态是所述多个存储器单元的相应编程的阈值电压分布,该方法包括:
输出利用所述第一状态与第二状态之间的电压范围之内的多个初步读取电压而从多个存储器单元中读出的数据;
参照输出数据,对按照所述多个初步读取电压而排列的多个子电压范围中的每一个内的相应的存储器单元的数量进行计数;
参照所计数的相应的存储器单元的数量,确定所述多个存储器单元的读取电压,以在所述第一状态和第二状态之间进行区分;以及
设置所述非易失性存储器设备来基于所确定的读取电压而存取所述多个存储器单元。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第一状态和第二状态是两个相邻的状态。
3.根据权利要求1所述的方法,其中,所述电压范围与所述第一状态的最大值和所述第二状态的最小值之间的阈值电压范围对应。
4.根据权利要求3所述的方法,其中,所述电压范围被所述多个初步读取电压划分为所述多个子电压范围。
5.根据权利要求4所述的方法,其中,在所述多个子电压范围之中具有最小数量的存储器单元的子电压范围中确定所述读取电压。
6.根据权利要求1所述的方法,其中,所述对相应的存储器单元的数量进行计数包括:
选择所述多个子电压范围中的一个;以及
通过将通过第一初步读取电压读取的第一数据与通过第二初步读取电压读取的第二数据进行比较,对所选择的子电压范围内的存储器单元的数量进行计数。
7.根据权利要求6所述的方法,其中,所述第二初步读取电压比所述第一初步读取电压高。
8.根据权利要求6所述的方法,其中,所述存储器单元的数量与第二数据中的、与第一数据的比较的跳变比特的数量对应。
9.根据权利要求6所述的方法,其中,所述存储器单元的数量与在第一初步读取电压中是关断的单元之中当施加第二初步读取电压是激活的单元的数量对应。
10.根据权利要求6所述的方法,其中,所述存储器单元的数量与在第一初步读取电压中是关断的单元之中当施加第二初步读取电压时接通的单元的数量对应。
11.根据权利要求1所述的方法,进一步包括:
从存储器控制器向非易失性存储器设备提供命令,以通过所述多个初步读取电压从所述多个存储器单元中读出和输出数据。
12.一种非易失性存储器设备的控制方法,所述非易失性存储器设备包括在第一状态或第二状态中编程的多个存储器单元,所述第一状态和第二状态是所述多个存储器单元的相应编程的阈值电压分布,该方法包括:
控制所述非易失性存储器设备,以输出利用所述第一状态与第二状态之间的电压范围之内的多个初步读取电压而从多个存储器单元中读出的数据;
参照输出数据,对按照所述多个初步读取电压而排列的多个子电压范围中的每一个内的相应的存储器单元的数量进行计数;
选择所述多个子电压范围之中与最小数量的存储器单元对应的子电压范围;以及
将所选择的子电压范围内的电压值确定为所述多个存储器单元的读取电压,以在所述第一状态和第二状态之间进行区分。
13.根据权利要求12所述的方法,其中,被确定为读取电压的所述电压值是下述中的一个:与所选择的子电压范围的下限对应的第一初步读取电压和与所选择的子电压范围的上限对应的第二初步读取电压。
14.根据权利要求12所述的方法,其中,被确定为读取电压的所述电压值是与所选择的子电压范围的下限对应的第一初步读取电压和与所选择的子电压范围的上限对应的第二初步读取电压之间的中间值。
15.根据权利要求12所述的方法,进一步包括:设置所述非易失性存储器设备来基于所确定的读取电压而读取所述多个存储器单元。
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