[发明专利]存储器管理方法、存储器控制器与存储器储存装置有效
申请号: | 201210551905.9 | 申请日: | 2012-12-18 |
公开(公告)号: | CN103870399A | 公开(公告)日: | 2014-06-18 |
发明(设计)人: | 林纬 | 申请(专利权)人: | 群联电子股份有限公司 |
主分类号: | G06F12/16 | 分类号: | G06F12/16;G06F3/06 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 史新宏 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储器 管理 方法 控制器 储存 装置 | ||
1.一种存储器管理方法,用于一可复写式非易失性存储器模块,该可复写式非易失性存储器模块具有多个存储单元,该多个存储单元组成多个物理页面,该多个物理页面构成多个物理区块,每一该多个存储单元包括多个储存状态,该多个储存状态至少包括一第一储存状态与一第二储存状态,该存储器管理方法包括:
记录每一该多个物理页面的一磨损程度值;以及
根据该多个物理页面的磨损程度值来操作该可复写式非易失性存储器模块,
其中记录每一该多个物理页面的磨损程度值的步骤包括:
编程该些物理页面之中的一第一物理页面,以写入一数据至该第一物理页面;
施予一第一检测偏压至该第一物理页面以从该第一物理页面中读取该数据并且计算在使用该第一检测偏压所读取的数据中的一第一错误位数;
施予一第二检测偏压至该第一物理页面以从该第一物理页面中读取该数据并且计算在使用该第二检测偏压所读取的数据中的一第二错误位数;以及
依据该第一错误位数与该第二错误位数产生对应该第一物理页面的磨损程度值,
其中该第一检测偏压大于该第二检测偏压,该第一检测偏压小于对应该第二储存状态的一验证偏压,并且该第二检测偏压大于该第一储存状态的一验证偏压。
2.根据权利要求1所述的存储器管理方法,还包括:
根据该多个物理页面的磨损程度值计算每一该多个物理区块的磨损程度值。
3.根据权利要求2所述的存储器管理方法,其中上述根据该多个物理页面的磨损程度值来操作该可复写式非易失性存储器模块的步骤包括:
加总该多个物理页面的磨损程度值,以获得对应该可复写式非易失性存储器模块的一目前磨损程度值;
判断该可复写式非易失性存储器模块的目前磨损程度值与该可复写式非易失性存储器模块的一先前磨损程度值之间的差值是否大于一磨损门坎值;以及
倘若该可复写式非易失性存储器模块的目前磨损程度值与该可复写式非易失性存储器模块的先前磨损程度值之间的差值大于该磨损门坎值时,从该多个物理区块之中选择一第一物理区块,从该多个物理区块之中选择一第二物理区块,将储存在该第一物理区块中的数据搬移至该第二物理区块,并且将原先映射至该第一物理区块的该多个物理页面的逻辑地址重新映射至该第二物理区块的该多个物理页面,
其中该第一物理区块为该多个物理区块之中已储存数据的物理区块之中具有最小磨损程度值的物理区块并且该第二物理区块为该多个物理区块之中未储存数据的物理区块之中具有最大磨损程度值的物理区块。
4.根据权利要求1所述的存储器管理方法,其中上述根据该多个物理页面的磨损程度值来操作该可复写式非易失性存储器模块的步骤包括:
根据该第一物理页面的磨损程度值,调整对应该第一物理页面的一初始写入偏压与一写入偏压脉冲时间的至少其中之一;以及
使用对应该第一物理页面的所述初始写入偏压与所述写入偏压脉冲时间编程属于该第一物理页面的存储单元,以将数据写入至该第一物理页面。
5.根据权利要求4所述的存储器管理方法,其中上述根据该第一物理页面的磨损程度值调整对应该第一物理页面的所述初始写入偏压与所述写入偏压脉冲时间的至少其中之一的步骤包括:
随着该第一物理页面的磨损程度值增加,降低对应该第一物理页面的所述初始写入偏压。
6.根据权利要求4所述的存储器管理方法,其中上述根据该第一物理页面的磨损程度值调整对应该第一物理页面的所述初始写入偏压与所述写入偏压脉冲时间的至少其中之一的步骤包括:
随着该第一物理页面的磨损程度值增加,减少对应该第一物理页面的所述写入偏压脉冲时间。
7.根据权利要求1所述的存储器管理方法,其中上述根据该多个物理页面的磨损程度值来操作该可复写式非易失性存储器模块的步骤包括:
随着该第一物理页面的磨损程度值增加,增加对应属于该第一物理页面的存储单元的该多个储存状态的验证偏压。
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