[发明专利]表面镀膜结构及其制造方法

权利要求书

1.一种表面镀膜结构，适用于太阳热能发电的高温热能吸收，

其特征在于，该表面镀膜结构依次包括：

一基板；

一缓冲中介层，覆盖在该基板上；

一吸收层，覆盖在该缓冲中介层上，该吸收层吸收并转换太阳光成为一热能，其中该缓冲中介层缓冲该热能引起的该基板与该吸收层的热膨胀；以及

一抗反射层，覆盖在该吸收层上。

2.如权利要求1所述的表面镀膜结构，其特征在于，该基板的热传导系数为30W/m.K至430W/m.K。

3.如权利要求1所述的表面镀膜结构，其特征在于，该缓冲中介层的材质为多孔硅、金属氧化物、金属硅化物或是多孔性金属。

4.如权利要求1所述的表面镀膜结构，其特征在于，该吸收层是一立体多孔状陷光结构。

5.如权利要求4所述的表面镀膜结构，其特征在于，该吸收层的材质为奈米晶硅、多晶硅、微晶硅、奈米、多晶或微晶硅基材料、奈米晶锗、多晶锗或微晶锗。

6.如权利要求1所述的表面镀膜结构，其特征在于，该抗反射层的折射率小于该吸收层。

7.如权利要求6所述的表面镀膜结构，其特征在于，该抗反射层为单一折射率的均质层。

8.如权利要求6所述的表面镀膜结构，其特征在于，该抗反射层为一折射率渐变的材质层。

9.如权利要求6所述的表面镀膜结构，其特征在于，该抗反射层包含至少相异折射率的两均质内层。

10.如权利要求9所述的表面镀膜结构，其特征在于，该抗反射层的太阳光吸收频带为该两均质内层的太阳光吸收频带的总和。

11.一种表面镀膜结构的制造方法，其特征在于，其包括下列步骤：

提供一基板；

形成一缓冲中介层覆盖在该基板上；

形成一吸收层覆盖在该缓冲中介层上，该吸收层吸收并转换太阳光成为一热能，其中该缓冲中介层缓冲该热能引起的该基板与该吸收层的热膨胀；以及

形成一抗反射层，覆盖在该吸收层上。

12.如权利要求11所述的表面镀膜结构的制造方法，其特征在于，形成该吸收层的方法包括下列步骤：

利用电浆增强化学气相沉积法或物理气相沉积法在该缓冲中介层上长出一硅基材质层或一锗基材质层；

进行一退火程序，将该硅基材质层或锗基材质层转换为多晶硅层、微晶硅层、多晶锗层或微晶锗层；以及

以一湿式蚀刻法或一干式蚀刻法处理该吸收层表面，以形成一立体多孔状陷光结构。

13.如权利要求11所述的表面镀膜结构的制造方法，其特征在于，形成该吸收层的方法包括下列步骤：

利用电浆增强化学气相沉积法或物理气相沉积法在该缓冲中介层上长出一硅基材质层或一锗基材质层；

以一湿式蚀刻或一干式蚀刻处理该吸收层表面，以形成一立体多孔状陷光结构；以及

进行一退火程序，将该硅基材质层或锗基材质层转换为多晶硅层、微晶硅层、多晶锗层或微晶锗层。

14.如权利要求11所述的表面镀膜结构的制造方法，其特征在于，形成该抗反射层的方法包含下列步骤：

利用电浆增强化学气相沉积或物理气相沉积在该吸收层上长出一非晶形材质层，其中该吸收层与贴合其上的该非晶形材质层共同构成一立体多孔状陷光结构；以及

进行一退火程序，将该非晶形材质层转换为对应的一多晶材质层或微晶材质层。

15.如权利要求12、13或14所述的表面镀膜结构的制造方法，其特征在于，该退火程序为固相结晶法、雷射结晶法或金属诱发结晶法。