[发明专利]一种CMOS图像传感器像素阵列及其制造方法

权利要求书

1.一种CMOS图像传感器像素阵列，包括多个像素单元，每个像素单元包括光电二极管以及传输晶体管，所述光电二极管基于入射光产生电荷；所述传输晶体管栅极将所述光电二极管产生的电荷转移至其悬浮漏极；其特征在于，

所述多个像素单元的传输晶体管悬浮漏极的面积从所述像素阵列的边缘向中心递增。

2.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器像素阵列，其特征在于，所述多个像素单元的传输晶体管悬浮漏极的面积从所述像素阵列的边缘向中心线性递增，且最小面积与最大面积之比为1:1.05～1:2。

3.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器像素阵列，其特征在于，所述多个像素单元的传输晶体管栅极面积相同。

4.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器像素阵列，其特征在于，所述多个像素单元的光电二极管面积相同。

5.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器像素阵列，其特征在于，所述像素阵列包括介质层，金属互连线，滤色层以及微透镜。

6.一种权利要求1所述的CMOS图像传感器像素阵列的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

在半导体衬底上形成多个像素单元的光电二极管；

淀积介质层，并在所述介质层上形成多个传输晶体管栅极；

在所述介质层上方形成图形化的光刻胶层；以及

以所述图形化的光刻胶层为掩膜进行离子注入，以形成所述多个传输晶体管的悬浮漏极，且所述多个传输晶体管的悬浮漏极的面积从所述像素阵列的边缘向中心递增。

7.根据权利要求6所述的CMOS图像传感器像素阵列的制造方法，其特征在于，所述多个像素单元的传输晶体管悬浮漏极的面积从所述像素阵列的边缘向中心线性递增，且最小面积与最大面积之比为1:1.05～1:2。

8.根据权利要求6所述的CMOS图像传感器像素阵列的制造方法，其特征在于，还包括在所述介质层上方淀积层间介质，形成金属互连线，滤色层及微透镜的步骤。

9.根据权利要求6所述的CMOS图像传感器像素阵列的制造方法，其特征在于，所述图形化的光刻胶层具有多个间隙，且所述多个间隙的面积从所述像素阵列的边缘向中心递增。

10.根据权利要求9所述的CMOS图像传感器像素阵列的制造方法，其特征在于，所述间隙的位置与所述传输晶体管栅极的位置具有间距或部分重叠。