[发明专利]PECVD装置、使用其制备不规则表面膜的方法及其应用

权利要求书

1.一种用于制备不规则表面膜的等离子体增强化学气相沉积装置，包括：

气体供应部件；

等离子体激发产生部件，其包括等离子体发生腔体和等离子体激发部件，所述等离子体发生腔体内限定有等离子体发生腔室，所述等离子体激发部件的激发源为射频激发源；

气体导管；以及

真空系统，其包括真空部件和用于密封样品的顶部开口的密封部件，所述真空部件经插入密封部件的真空管道使样品内保持真空；其中，

所述气体供应部件中的工艺气体被导入到所述等离子体发生腔室中；以及

所述气体导管经所述密封部件被插入到样品中以将所述等离子体发生腔室内等离子激发的工艺气体导入到样品中，并且所述气体导管的形状根据样品的形状被设置成适于使等离子激发的工艺气体与样品内壁充分接触。

2.如权利要求1所述的等离子体增强化学气相沉积装置，其特征在于，所述样品为多个，以及等离子激发的工艺气体经由所述气体导管通过气体分布器被导入到各个样品中。

3.一种用于制备不规则表面膜的等离子体增强化学气相沉积装置，包括：

气体供应部件；

等离子体激发产生部件，其包括等离子体发生腔体和等离子体激发部件，所述等离子体发生腔体内限定有等离子体发生腔室，所述等离子体激发部件的激发源为射频激发源；

气体导管；

其内限定有反应腔室的反应腔体；以及

真空部件，用于使所述反应腔室保持真空；其中，

所述气体供应部件中的工艺气体被导入到所述等离子体发生腔室中；以及

所述气体导管被插入到放置于所述反应腔室内的样品中以将所述等离子体发生腔室内等离子激发的工艺气体导入到样品中，并且所述气体导管的形状根据样品的形状被设置成适于使等离子激发的工艺气体与样品内壁充分接触。

4.如权利要求3所述的等离子体增强化学气相沉积装置，其特征在于，所述样品为多个，以及等离子激发的工艺气体经由所述气体导管通过气体分布器被导入到各个样品中。

5.如权利要求1-4中任一项所述的等离子体增强化学气相沉积装置，其特征在于，所述样品为各种顶部开口的容器。

6.如权利要求1-4中任一项所述的等离子体增强化学气相沉积装置，其特征在于，所述等离子体增强化学气相沉积装置还包括加热装置，用于调节所述样品内的温度。

7.如权利要求1-4中任一项所述的等离子体增强化学气相沉积装置，其特征在于，所述等离子体发生腔室沿其长度方向被导电分隔体分割为多个内有开口的分隔部分，其中工艺气体流经各个分隔部分；以及所述等离子体激发部件通过导电分隔体分别为各个分隔部分提供用以等离子激发工艺气体所需的电场。

8.如权利要求7所述的等离子体增强化学气相沉积装置，其特征在于，所述分隔部分的长度为2.875英寸。

9.如权利要求1-8中任一项所述的等离子体增强化学气相沉积装置的应用，用于制备不规则表面膜。

10.如权利要求9所述的应用，其特征在于，所述不规则表面膜包括用于医疗用品容器、食品容器、输油管道内壁、晶体硅太阳能电池的双层减反射层、大规模集成电路绝缘层的不规则表面膜。

11.一种制备不规则表面膜的方法，其包括：首先将气体供应部件中的工艺气体导入到使用射频激发源的等离子体发生腔室内，使工艺气体在等离子体发生腔室内被等离子激发；然后经由插入到样品中的气体导管将等离子激发的工艺气体导入到样品中并在样品上沉积，其中所述样品处于真空环境中并具有不规则表面。

12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述样品的顶部开口用真空塞密封，所述真空塞上有用于导入等离子激发的工艺气体的气体导管和用于抽真空的真空管道。