[发明专利]触控电极结构及其制程工艺

权利要求书

1.一种触控电极结构的制造工艺，其特征在于，包括以下步骤：

S1：准备一基板，且在该基板上界定一感测区与一围绕于该感测区的引线区；

S2：形成一电极层于该基板上；

S3：形成一第一防蚀刻光学层于该电极层上；

S4：蚀刻未被该第一防蚀刻光学层遮挡的该电极层，经蚀刻后的该电极层分为一蚀刻区与一非蚀刻区；

S5：形成一第二防蚀刻光学层于该第一防蚀刻光学层和该基板上，该第二防蚀刻光学层至少裸露部分位于该引线区内的该第一防蚀刻光学层；

S6：蚀刻未被该第二防蚀刻光学层遮挡的该第一防蚀刻光学层，裸露出位于该引线区内的该非蚀刻区的电极层；

S7：形成一信号引线，该信号引线设置于该引线区内，且电性连接该裸露的非蚀刻区的电极层。

2.根据权利要求1所述的触控电极结构的制造工艺，其特征在于，所述步骤S2更包含形成一保护层于该电极层上的步骤，所述步骤S5形成的第二防蚀刻光学层形成于该第一防蚀刻光学层和该保护层上，且所述步骤S6更包含蚀刻未被该第二防蚀刻光学层遮挡的该保护层的步骤。

3.根据权利要求1所述的触控电极结构的制造工艺，其特征在于，所述步骤S6更包含一去除第二防蚀刻光学层的步骤。

4.根据权利要求1所述的触控电极结构的制造工艺，其特征在于，所述步骤S5采用不完全蚀刻的工艺。

5.根据权利要求1所述的触控电极结构的制造工艺，其特征在于，所述第一防蚀刻光学层和所述第二防蚀刻光学层采用可透视的绝缘材料。

6.根据权利要求1所述的触控电极结构的制造工艺，其特征在于，形成所述第一防蚀刻光学层和所述第二防蚀刻光学层采用印刷工艺。

7.根据权利要求1所述的触控电极结构的制造工艺，其特征在于，所述步骤S5形成的第二防蚀刻光学层包含有镂空区域，且该第二防蚀刻光学层通过该镂空区域裸露部分位于该引线区内的该第一防蚀刻光学层；所述步骤S6蚀刻后的该第一防蚀刻光学层形成有对应于该镂空区域的镂空孔；所述步骤S7的信号引线形成于该第二防蚀刻光学层上，且通过该镂空区域和该镂空孔电性连接该裸露的非蚀刻区的电极层。

8.根据权利要求7所述的触控电极结构的制造工艺，其特征在于，所述信号引线形成于该基板上。

9.一种触控电极结构，其特征在于，包括：

一基板，该基板界定有一感测区与一围绕于该感测区的引线区；

一电极层，设置于该基板上，且该电极层分为一蚀刻区与一非蚀刻区；

一第一防蚀刻光学层，设置于该电极层的非蚀刻区上；

一第二防蚀刻光学层，设置于该第一防蚀刻光学层和该基板上，且该第一防蚀刻光学层与该第二防蚀刻光学层至少裸露部分位于该引线区内的该非蚀刻区的电极层；

一信号引线，设置于该引线区内，且电性连接该裸露的非蚀刻区的电极层。

10.根据权利要求9所述的触控电极结构，其特征在于，所述电极层上更形成有一保护层，且该保护层设置于该电极层与该第一防蚀刻光学层之间。

11.根据权利要求10所述的触控电极结构，其特征在于，所述保护层的厚度为至50nm至500nm。

12.根据权利要求10所述的触控电极结构，其特征在于，所述第一防蚀刻光学层的折射率至少比所述保护层的折射率大0.1。

13.根据权利要求9或12所述的触控电极结构，其特征在于，所述第二防蚀刻光学层的折射率至少比所述第一防蚀刻光学层的折射率大0.1。

14.根据权利要求9所述的触控电极结构，其特征在于，所述第二防蚀刻光学层上形成有镂空区域，所述第一防蚀刻光学层上形成有对应于该镂空区域的贯穿孔，所述信号引线位于该第二防蚀刻光学层上，且通过该镂空区域及该贯穿孔电性连接该裸露的非蚀刻区的电极层。

15.根据权利要求9所述的触控电极结构，其特征在于，所述信号引线设置于该基板上。

16.根据权利要求9所述的触控电极结构，其特征在于，所述第一防蚀刻光学层的厚度为0.05um至5um。

17.根据权利要求9所述的触控电极结构，其特征在于，所述第二防蚀刻光学层的厚度为0.05um至5um。

18.根据权利要求9所述的触控电极结构，其特征在于，所述第一防蚀刻光学层和第二防蚀刻光学层采用可透视的绝缘材料。