[发明专利]利用可切换功率发生器的高深宽比微结构刻蚀方法

权利要求书

1.一种利用可切换功率发生器的高深宽比微结构刻蚀方法，该微结构刻蚀方法所适用的等离子体刻蚀腔室包含：

腔室（1），该腔室（1）内分布有等离子体（5）；

上电极（2），其设置于所述腔室（1）内的顶部；

下电极（3），其设置于所述腔室（1）内的底部；该下电极（3）上放置被刻蚀的晶圆（4）；

高频信号源，其输出高频信号至所述下电极（3）；

高功率低频信号源与低功率低频信号源，该高功率低频信号源与该低功率低频信号源可切换地输出高功率低频信号或低功率低频信号至所述下电极（3）；

所述晶圆（4）包含有光刻胶层、设置在光刻胶层下的硬掩膜层、设置在硬掩膜层下的不定型碳层或有机掩膜层，和设置在所述不定型碳层或有机掩膜层下的二氧化硅层；

其特征在于，所述微结构刻蚀方法包含以下步骤：

步骤1、输入低功率低频信号激发等离子体（5），对晶圆（4）上硬掩膜层，以及不定型碳层或有机掩膜层进行高深宽比微结构刻蚀；

步骤2、将低功率低频信号输入切换为高功率低频信号输入；

步骤3、高功率低频信号激发等离子体（5），对晶圆（4）的二氧化硅层进行高深宽比微结构刻蚀。

2.如权利要求1所述的利用可切换功率发生器的高深宽比微结构刻蚀方法，其特征在于，所述的步骤1包含以下步骤：

步骤1.1、低功率低频信号源输出低功率低频信号至下电极（3）激发等离子体（5）；

步骤1.2、对晶圆（4）的硬掩膜层进行高深宽比微结构刻蚀；

步骤1.3、对晶圆（4）的不定型碳层或有机掩膜层进行高深宽比微结构刻蚀。

3.如权利要求1或2所述的利用可切换功率发生器的高深宽比微结构刻蚀方法，其特征在于，所述的步骤1中，低功率低频信号的功率输出小于1000瓦。

4.如权利要求1或2所述的利用可切换功率发生器的高深宽比微结构刻蚀方法，其特征在于，所述步骤1中，对硬掩膜层，以及不定型碳层或有机掩膜层进行刻蚀时，刻蚀气体采用CF₄、CHF₃、CH₂F₂、O₂、N₂气体。

5.如权利要求4所述的利用可切换功率发生器的高深宽比微结构刻蚀方法，其特征在于，所述步骤1中刻蚀气体的压强为30至100mT。

6.如权利要求1所述的利用可切换功率发生器的高深宽比微结构刻蚀方法，其特征在于，所述的步骤3中，高功率低频信号的功率输出大于3000瓦。

7.如权利要求1所述的利用可切换功率发生器的高深宽比微结构刻蚀方法，其特征在于，所述步骤3中，二氧化硅层刻蚀时，刻蚀气体采用CF₄、C₄F₈、F₄F₆、CH₂F₂、Ar、O₂气体。

8.如权利要求7所述的利用可切换功率发生器的高深宽比微结构刻蚀方法，其特征在于，所述步骤3中刻蚀气体的压强为10至50mT。

9.如权利要求1所述的利用可切换功率发生器的高深宽比微结构刻蚀方法，其特征在于，所述的步骤3之后还包含以下步骤：

对晶圆（4）进行后续工艺处理，完成后续工艺处理后关闭高功率低频信号源。

10.如权利要求1所述的利用可切换功率发生器的高深宽比微结构刻蚀方法，其特征在于，所述的晶圆（4）中，光刻胶层处还可以设有底部抗反射层或介质抗反射层。