[发明专利]超级结器件终端保护结构

权利要求书

1.一种超级结器件终端保护结构，位于N型外延（2）中的终端区（12），环绕包围超级结器件的元胞区（11），所述终端结构从远离元胞区（11）方向依次排列P型体环（5）、多个P型沟槽环（3）以及场终止环（6）；所述P型沟槽环（3）是间隔排列且沟槽内填充P型硅形成；多个间隔的P型沟槽环（3）与N型外延（2）之间形成纵向P、N型层的交替排列；所述的P型体环（5）是位于P型沟槽环（3）顶侧的外延（2）中；终端P型沟槽环（3）上的外延（2）表面具有非浮空的金属场板（13），以及浮空的多晶硅场板（8）及（14）；场终止环（6）位于终端区（12）最外围一圈；元胞区（11）和终端区（12）的交界过渡区处的P型体环（5）至少覆盖一个P型沟槽环（3）；所述的终端保护结构，其特征在于：所述的非浮空的金属场板（13）的延伸末端下方的P型沟槽环（3a）、(3b)的宽度大于其他的P型沟槽环(3)，且P型沟槽环（3a）、(3b)之间具有P型体环(5)跨接。

2.如权利要求1所述的超级结器件终端保护结构，其特征在于：所述金属场板（13）的延伸末端位于P型沟槽环（3a）近元胞区（11）边缘和P型沟槽环（3b）的远元胞区（11）边缘的区间之内。

3.如权利要求1所述的超级结器件终端保护结构，其特征在于：所述的金属场板下的P型沟槽环（3a）、（3b）的宽度比其他P型沟槽环（3）大5～15%。

4.如权利要求1所述的超级结器件终端保护结构，其特征在于：所述金属场板（13）延伸末端之外的其他P型沟槽环（3）的顶侧有P型体环（5），或者不制作P型体环（5）。

5.如权利要求4所述的超级结器件终端保护结构，其特征在于：当所述金属场板（13）延伸末端之外的其他P型沟槽环（3）的顶侧有P型体环（5）时，P型体环（5）跨接在两P型沟槽环（3）之间形成整体，或者各自独立位于P型沟槽环（3）顶侧。

6.如权利要求1所述的超级结器件终端保护结构，其特征在于：所述金属场板（13）延伸末端之外的其他P型沟槽环（3）的顶部有浮空多晶硅场板（8）及（14），或者没有浮空多晶硅场板（8）及（14）。

7.如权利要求1所述的超级结器件终端保护结构，其特征在于：所述终端区（12）的P型体环（5）是通过过渡区P型体环（5）形成工艺形成，或者是单独进行P型杂质注入、推进形成。

8.如权利要求1所述的超级结器件终端保护结构，其特征在于：所述P型体环（5）的窗口大小由推进时间决定，注入杂质的剂量为1x10¹³～1x10¹⁵CM^-2。