[发明专利]利用原子层沉积制备薄膜的方法

权利要求书

1.利用原子层沉积制备薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤（1）将第一种前驱体源通入原子层沉积设备的反应腔室中；

步骤（2）检测所述第一种前驱体源，并与前驱体源及温度调控数据库比对，识别所述第一种前驱体源是否为原子层沉积和化学气相沉积同时适用的前驱体源；所述前驱体源及温度调控数据库包括适用于原子层沉积和化学气相沉积的前驱体源，以及对应前驱体源进行化学气相沉积反应的样品的温度范围；

步骤（3）当识别出所述第一种前驱体源为原子层沉积和化学气相沉积同时适用的前驱体源时，根据所述前驱体源及温度调控数据库中对应前驱体源进行化学气相沉积反应的样品的温度范围，调控样品的加热温度，在样品上进行第一次原子层沉积；当识别出所述第一种前驱体源为仅适用于原子层沉积的前驱体源时，按照原子层沉积反应的常规参数在样品上进行第一次原子层沉积；

步骤（4）将第二种前驱体源通入所述反应腔室中；

步骤（5）检测所述第二种前驱体源，并与所述前驱体源及温度调控数据库比对，识别所述第二种前驱体源是否为原子层沉积和化学气相沉积同时适用的前驱体源；

步骤（6）当识别出所述第二种前驱体源为原子层沉积和化学气相沉积同时适用的前驱体源时，根据所述前驱体源及温度调控数据库中对应前驱体源进行化学气相沉积反应的样品的温度范围，调控样品的加热温度，在样品上进行第二次原子层沉积；当识别出所述第二种前驱体源为仅适用于原子层沉积的前驱体源时，按照原子层沉积反应的常规参数在样品上进行第二次原子层沉积；

步骤（7）调整样品上沉积物表面反应活性至第一次通入第一种前驱体源之前；

步骤（8）循环重复步骤（1）至步骤（7），获得原子层沉积薄膜。

2.如权利要求1所述的利用原子层沉积制备薄膜的方法，其特征在于，所述样品的加热温度根据不同的前驱体源控制在300℃～600℃，所述样品的加热温度处于适用于原子层沉积所需温度，低于适用于化学气相沉积所需温度。

3.如权利要求1所述的利用原子层沉积制备薄膜的方法，其特征在于，所述前驱体源及温度调控数据库还包括适用于原子层沉积和化学气相沉积的前驱体源进行化学气相沉积反应的反应腔室的温度范围。

4.如权利要求3所述的利用原子层沉积制备薄膜的方法，其特征在于，所述步骤（3）还包括：当识别出所述第一种前驱体源为原子层沉积和化学气相沉积同时适用的前驱体源时，根据所述前驱体源及温度调控数据库中对应前驱体源进行化学气相沉积反应的反应腔室的温度范围，调控反应腔室的温度，在样品上进行第一次原子层沉积；当识别出所述第一种前驱体源为仅适用于原子层沉积的前驱体源时，按照原子层沉积反应的常规参数在样品上进行第一次原子层沉积。

5.如权利要求3所述的利用原子层沉积制备薄膜的方法，其特征在于，所述步骤（6）还包括：当识别出所述第二种前驱体源为原子层沉积和化学气相沉积同时适用的前驱体源时，根据所述前驱体源及温度调控数据库中对应前驱体源进行化学气相沉积反应的反应腔室的温度范围，调控反应腔室的温度，在样品上进行第二次原子层沉积；当识别出所述第二种前驱体源为仅适用于原子层沉积的前驱体源时，按照原子层沉积反应的常规参数在样品上进行第二次原子层沉积。

6.如权利要求4或5所述的利用原子层沉积制备薄膜的方法，其特征在于，所述反应腔室的温度为在室温的基础上升温或降温5℃～200℃，所述反应腔室的温度低于适用于原子层及化学气相沉积所需温度。

7.如权利要求1所述的利用原子层沉积制备薄膜的方法，其特征在于，所述步骤（4）和步骤（7）在进行之前，吹扫所述反应腔室。