[发明专利]成膜装置无效
申请号: | 201210552799.6 | 申请日: | 2012-12-18 |
公开(公告)号: | CN103205718A | 公开(公告)日: | 2013-07-17 |
发明(设计)人: | 筑后了治 | 申请(专利权)人: | 住友重机械工业株式会社 |
主分类号: | C23C14/32 | 分类号: | C23C14/32 |
代理公司: | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人: | 温旭;郝传鑫 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 装置 | ||
技术领域
本发明涉及一种成膜装置。
背景技术
作为在被处理物的表面将成膜材料成膜的方法,例如有离子镀法。该离子镀法中,通过在真空容器内对成膜材料照射等离子体束来使成膜材料离子化并扩散,在被处理物的表面附着已离子化的成膜材料来成膜。例如专利文献1中公开有使用这种离子镀法的等离子体处理装置。
专利文献1:日本特开平8-232060号公报
专利文献1中记载的等离子体处理装置具有辅助炉床的电位不同于主炉床的电位及真空装置的电位的结构。这种等离子体处理装置中,在成膜处理中,由于导电性附着物在辅助炉床与真空容器之间掉落而与辅助炉床和真空容器接触,有可能辅助炉床与真空容器电性短路且辅助炉床的电位变化。如此,若在成膜处理中辅助炉床的电位发生变化,则有可能辅助炉床的放电状态发生变化导致成膜条件发生变化。因此,希望更进一步提高成膜处理的稳定性。
发明内容
因此,本发明是为了解决这种问题点而完成的,其目的在于提供一种具有能够提高成膜处理的稳定性的结构的成膜装置。
为了解决上述课题,本发明所涉及的成膜装置为通过等离子体束加热成膜材料,使从成膜材料气化后的粒子附着在被成膜物上来成膜的成膜装置,其具备:真空容器,形成真空环境;主阳极,配置于真空容器内,保持成膜材料,并且进行等离子体束的引导;及辅助阳极,以包围主阳极的方式配置,且辅助由主阳极进行的等离子体束的引导,所述成膜装置中,辅助阳极与真空容器电性短路。
在该成膜装置中,辅助阳极与真空容器电性短路。因此,即使在成膜处理中产生导电性附着物的掉落,也能够防止辅助阳极的电位的变化。其结果,能够防止成膜条件的变化,且能够提高成膜处理的稳定性。
辅助阳极可具有用于辅助等离子体束的引导的电磁铁及容纳电磁铁的导电性容器,容器可与真空容器电性短路。在这种情况下,通过使辅助阳极的容器与真空容器电性短路,在通过电磁铁辅助等离子体束的引导的辅助阳极中,能够防止在成膜处理中的辅助阳极的电位的变化。其结果,能够防止成膜条件的变化,也能够提高成膜处理的稳定性。
可进一步具备支承辅助阳极的导电性支承部件,辅助阳极也可以经支承部件与真空容器电性短路。此时,能够通过仅将辅助阳极直接固定于支承部件的简单的结构使辅助阳极与真空容器电性短路。
主阳极可具有主炉床。并且,主炉床可由导电性材料构成,并且具有向朝向被成膜物的方向延伸的圆筒状的外侧壁及设置于所述外侧壁的远离所述被成膜物的一侧的端部且向圆筒的径向伸出的板状部件。并且,可进一步具备设置于板状部件与支承部件之间的绝缘部件。此时,由于主阳极与辅助阳极(及支承辅助阳极的支承部件)通过绝缘部件绝缘,因此即使辅助阳极(及支承辅助阳极的支承部件)与真空容器电性短路,也能够防止对主阳极的影响,并能够防止成膜条件发生变化。
支承部件可具有开口部,该开口部由以包围主阳极的外侧壁的方式设置的绝缘体构成。此时,即使导电性附着物在主阳极与支承部件之间掉落,主阳极与支承部件通过由绝缘体构成的开口部绝缘,因此能够防止对主阳极的影响,并能够防止成膜条件发生变化。
主阳极可具有主炉床。并且,主炉床可由导电性材料构成,并且具有向朝向被成膜物的方向延伸的圆筒状的外侧壁及设置于所述外侧壁的远离所述被成膜物的一侧的端部且向圆筒的径向伸出的板状部件。并且,在板状部件与支承部件之间可设置有间隙。此时,由于主阳极与辅助阳极(及支承辅助阳极的支承部件)通过在它们之间设置间隙而被绝缘,因此即使辅助阳极(及支承辅助阳极的支承部件)与真空容器电性短路,也能够防止对主阳极的影响,并能够防止成膜条件发生变化。
在支承部件与主阳极的外侧壁之间可设置有间隙。此时,由于主阳极的外侧壁与辅助阳极(及支承辅助阳极的支承部件)通过在它们之间设置间隙而被绝缘,因此即使辅助阳极(及支承辅助阳极的支承部件)与真空容器电性短路,也能够防止对主阳极的影响,并能够防止成膜条件发生变化。
可进一步具备设置于辅助阳极上的罩,罩可在主阳极上具有开口,并从辅助阳极延伸至真空容器的侧壁。此时,能够防止导电性附着物等侵入辅助阳极与真空容器之间,并能够简化维护操作。并且,能够防止等离子体束侵入辅助阳极与真空容器之间,并能够抑制异常放电等。
罩可具有导电性,并与辅助阳极电性短路。此时,能够通过仅将罩载置于辅助阳极上的简单的结构防止导电性附着物及等离子体束侵入辅助阳极与真空容器之间。
发明效果
根据本发明,能够提高成膜处理的稳定性。
附图说明
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