[发明专利]电可编程熔丝结构有效
| 申请号： | 201210552992.X | 申请日： | 2012-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN103872011A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;李天慧;舒强 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 可编程 结构 | ||
1.一种电可编程熔丝结构，包括：
阳极区，其上具有第一接触窗，所述第一接触窗适于在所述熔丝结构的编程过程中耦接高电压；
阴极区，其上具有第二接触窗，所述第二接触窗适于在所述熔丝结构的编程过程中耦接低电压；
熔丝连接区，其一端连接阳极区，另一端连接阳极区；
其特征在于，所述阴极区为椭圆状，所述熔丝连接区连接在该椭圆的短轴端点。
2.根据权利要求1所述的电可编程熔丝结构，其特征在于，所述熔丝连接区垂直所述阴极区的边缘连接。
3.根据权利要求1所述的电可编程熔丝结构，其特征在于，所述第二接触窗有多个。
4.根据权利要求1或2所述的电可编程熔丝结构，其特征在于，所述第二接触窗的数目多于所述第一接触窗的数目。
5.根据权利要求1所述的电可编程熔丝结构，其特征在于，所述阳极区、所述阴极区与所述熔丝连接区都为金属硅化物。
6.根据权利要求5所述的电可编程熔丝结构，其特征在于，所述金属硅化物中的金属为钛、钨、钴与镍中的至少一种。
7.根据权利要求1所述的电可编程熔丝结构，其特征在于，多个阴极区通过各自的熔丝连接区与同一阳极区相连。
8.根据权利要求1或7所述的电可编程熔丝结构，其特征在于，所述阳极区为正方形或长方形，所述熔丝连接区与所述正方形或长方形垂直连接。
9.根据权利要求7所述的电可编程熔丝结构，其特征在于，各自的熔丝连接区的粗细不同。
10.根据权利要求5或6所述的电可编程熔丝结构，其特征在于，所述阴极区、所述阳极区、和所述熔丝连接区的硅化物形成于多晶硅之上，对应于阴极区和所述阳极区的所述多晶硅具有掺杂离子，对应于所述熔丝连接区的所述多晶硅无掺杂离子。
11.根据权利要求10所述的电可编程熔丝结构，其特征在于，对应于阴极区的所述多晶硅的掺杂离子为P型元素，对应于阳极区的所述多晶硅的掺杂离子为N型元素。
12.根据权利要求1所述的电可编程熔丝结构，其特征在于，所述熔丝结构周围具有哑元结构。
13.根据权利要求1所述的电可编程熔丝结构，其特征在于，阴极区与阳极区之间设置多个不同粗细的熔丝连接区。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210552992.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种重金属污染底泥的稳定方法及其应用
- 下一篇：功率模块封装
