[发明专利]P型LDMOS器件的沟槽及工艺方法有效

申请号：	201210553008.1	申请日：	2012-12-18
公开（公告）号：	CN103872095B	公开（公告）日：	2016-10-26
发明（设计）人：	蔡莹;马彪;遇寒	申请（专利权）人：	上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号：	H01L29/06	分类号：	H01L29/06;H01L21/336
代理公司：	上海浦一知识产权代理有限公司 31211	代理人：	丁纪铁
地址：	201203 上海市浦东***	国省代码：	上海;31
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摘要：
搜索关键词：	ldmos 器件沟槽工艺方法
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【权利要求书】：

1.一种P型LDMOS器件的沟槽，用于连接P型LDMOS器件的源区及衬底；所述P型LDMOS位于衬底上的外延中，具有相互抵靠接触的P阱及N型沟道区，所述P型LDMOS的源区位于N型沟道区中，P阱中具有轻掺杂漏区以及位于轻掺杂漏区中的所述P型LDMOS的漏区，外延表面具有所述P型LDMOS器件的栅氧及多晶硅栅极，多晶硅栅极上覆盖钨硅；所述P型LDMOS器件的沟槽，其特征在于：

沟槽底部位于N型衬底中，沟槽内壁及底部淀积一层金属硅化物，金属钨填充满沟槽，形成低阻通路，用于电性连接源区及衬底。

2.如权利要求1所述的一种P型LDMOS器件的沟槽工艺方法，其特征在于：包含如下工艺步骤：

第1步，在重掺杂的N型硅衬底上淀积轻掺杂N型外延，外延表面生长一层牺牲氧化层，光刻定义出P型阱区，进行离子注入；

第2步，去除光刻胶及牺牲氧化层，淀积栅氧化层，再淀积多晶硅并注入，最后再淀积一层钨硅；

第3步，光刻定义出沟道区，进行干法刻蚀去除沟道区上方的钨硅、多晶硅及栅氧，使外延露出，进行离子注入形成N型沟道区；

第4步，对钨硅、多晶硅以及栅氧化层进行干法刻蚀，形成P型LDMOS的栅极区；

第5步，制作栅极侧墙，进行轻掺杂漏注入；

第6步，光刻胶定义出P型LDMOS的源区及漏区，并进行P型离子注入；

第7步，去除光刻胶，在整个器件表面淀积介质层，并进行化学机械研磨；

第8步，光刻定义出沟槽区，刻蚀介质层到外延表面，去除光刻胶，利用介质层为硬掩膜刻蚀沟槽，沟槽底部位于衬底中；

第9步，淀积Ti及TiN,快速热过程在沟槽底部及内壁形成金属硅化物；

第10步，沟槽内填充金属钨，并化学机械平坦化研磨至介质层；