[发明专利]电流比较器

权利要求书

1.一种电流比较器，其特征在于，所述电流比较器包括依次级联的第一电流镜、第二电流镜、分压电阻、第一前置放大器、第二前置放大器、第一高增量反向器及第二高增量反向器，所述第二电流镜具有负反馈电阻。

2.如权利要求1所述的电流比较器，其特征在于，所述第一电流镜包括第一NMOS管、第二NMOS管及第一PMOS管；所述第一NMOS管的漏极和栅极相接且连接正电流，栅极和所述第二NMOS管的栅极连接，源极接地；所述第二NMOS管的源极接地，漏极和所述第一PMOS管的源极连接；所述第一PMOS管的漏极接电源。

3.如权利要求2所述的电流比较器，其特征在于，所述第二电流镜包括第三NMOS管、第四NMOS管、第二PMOS管及所述负反馈电阻；所述第三NMOS管的漏极连接负电流，源极接地，栅极和所述第四NMOS管的栅极连接；所述第四NMOS管的源极接地，漏极和所述第二PMOS管的源极连接；所述第二PMOS管的栅极和所述第一PMOS管的栅极连接，漏极和所述第一PMOS管的漏极连接；所述负反馈电阻的源极和所述第三NMOS管的漏极及栅极连接，栅极和漏极均和所述第四NMOS管的漏极连接。

4.如权利要求3所述的电流比较器，其特征在于，所述分压电阻包括二极管连接的第五NMOS管和第六NMOS管；所述第五NMOS管的栅极和所述第四NMOS管的漏极连接，源极接地，漏极和所述第六NMOS管的源极连接；所述第六NMOS管的栅极和漏极相连且接电源。

5.如权利要求4所述的电流比较器，其特征在于，所述第一前置放大器包括第七NMOS管、第八NMOS管及第三PMOS管；所述第七NMOS管的源极接地，栅极和所述第四NMOS管的漏极连接，漏极和所述第八NMOS管的源极连接；所述第八NMOS管的栅极和所述第三PMOS管的栅极连接，漏极接电源；所述第三PMOS管的源极和漏极相连且接电源。

6.如权利要求5所述的电流比较器，其特征在于，所述第二前置放大器包括第九NMOS管、第十NMOS管及第四PMOS管；所述第九NMOS管的源极接地，栅极和所述第七NMOS管的漏极连接，漏极和所述第十NMOS管的源极连接；所述第十NMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极连接，漏极接电源；所述第四PMOS管的源极和漏极相连且接电源。

7.如权利要求6所述的电流比较器，其特征在于，所述第一高增量反向器包括第十一NMOS管及第五PMOS管；所述第十一NMOS管的源极接地，栅极和所述第五PMOS管的栅极相连且和所述第九NMOS管的漏极连接，漏极和所述第五PMOS管的源极连接；所述第五PMOS管的漏极接电源。

8.如权利要求7所述的电流比较器，其特征在于，所述第二高增量反向器包括第十二NMOS管及第六PMOS管；所述第十二NMOS管的源极接地，栅极和所述第六PMOS管的栅极相连且和所述第十一NMOS管的漏极连接，漏极和所述第六PMOS管的源极连接；所述第六PMOS管的漏极接电源。

9.如权利要求4所述的电流比较器，其特征在于，所述第五NMOS管和所述第六NMOS管具有相同的宽长比和偏置电流。