[发明专利]一种电流泵浦产生表面等离激元激光的方法

权利要求书

1.一种电流泵浦产生表面等离激元激光的方法，其特征在于包括：

第一步骤，用于制备半导体异质结，并且在离该半导体异质结表面约1-100nm处形成二维电子气；

第二步骤，用于在半导体异质结表面制作纳米金属波导，所述纳米金属波导将作为泵浦产生表面等离激元光子的光学微腔；

第三步骤，用于在离表面等离激元波导平面距离1-100nm处制作半导体双量子点结构。

2.根据权利要求1所述的电流泵浦产生表面等离激元激光的方法，其特征在于，在第三步骤中，在离表面等离激元波导平面距离1-100nm处制作控制量子点形状和内部能级间隔大小的金属电极，并且对金属电极通电后从而在半导体二维电子气中形成了双量子点结构。

3.根据权利要求1或2所述的电流泵浦产生表面等离激元激光的方法，其特征在于还包括：第四步骤，用于使形成半导体双量子点结构的金属电极连接外部电路。

4.根据权利要求1或2所述的电流泵浦产生表面等离激元激光的方法，其特征在于，半导体异质结为以GaAs/AlGaA异质结。

5.根据权利要求1或2所述的电流泵浦产生表面等离激元激光的方法，其特征在于，二维电子气的电子迁移率为5×10⁵cm²V^-1s^-1，电子密度为1×10¹¹cm^-2。

6.根据权利要求1或2所述的电流泵浦产生表面等离激元激光的方法，其特征在于，在第二步骤中利用平板工艺技术制作纳米金属波导。

7.根据权利要求1或2所述的电流泵浦产生表面等离激元激光的方法，其特征在于，第二步骤中表面等离激元光学微腔为金、银、铜或铝材质的金属纳米波导。

8.根据权利要求1或2所述的电流泵浦产生表面等离激元激光的方法，其特征在于，表面等离激元波导与半导体之间设置了1-100nm厚的介质层。