[发明专利]一种导电膜复配促进剂

说明书

技术领域

本发明涉及一种促进剂，尤其涉及一种导电膜复配促进剂。

背景技术

一般来说，聚合物是绝缘体。但有一组特殊的聚合物，即本质导电聚合物（如：EDOT与磺酸衍生物聚合而成的导电聚合物），其导电性介于半导体和金属之间。近年来兴起的，由于兼具金属和聚合物的性能，很多研究和应用正迅速展开。

现有技术中的导电膜，常与非导电基材结合，使非导体基材具有导电功能，在导电聚合物单体3,4-乙烯二氧噻吩(简称：EDOT)与磺酸衍生物的水性分散体中浸入经过前期处理后的非导体基材，再取出后对其进行烘干等工艺处理，从而得到相应的一层导电膜；最后再对附着有导电膜的非导体基材进行各种性能测试。磺酸衍生物通常为聚苯乙烯磺酸钠，所述导电膜具有半导体和金属的双重属性。这层导电膜需要具备两个条件：一方面导电膜要牢固且嵌入式的吸附于非导体基材表面，另一方面在附着的基础上聚合并枝节形成致密的多层级网状互联的导电薄膜层，这样才能保证导电膜附着于印制电路板非导电基材上导电性能、上铜速率、背光及热应力的测试满足要求。但由于非导体基材表面粗糙而不均匀，形成的导电膜不致密、不均匀，这就使得这层导电膜吸附于非导体基材微观表面联通效果差，结合不牢固，从而导致导电性差、上铜速率不理想、热应力测试不理想及背光效果差，导致无法真正满足印制电路板生产的相关性能指标。由导电聚合物单体3,4-乙烯二氧噻吩与磺酸衍生物的水性分散体形成的导电膜，其方块电阻高达4.0×10⁴～5.0×10⁴Ω/□ , 上铜速率仅为0.5cm/min，成膜镀铜后背光评级仅为5-6级，热应力测试效果较差，无法达到印制电路板生产测试的各项技术性能要求。因此，为满足市场需求，急需开发一种试剂，当其应用于非导体基材上后，能够形成一层导电膜，使该基材的方块电阻较低，上铜速率较快，成膜镀铜后背光评级较高，热应力测试效果较好，能够达到印制电路板生产测试的各项技术性能要求。

发明内容

因此，针对以上内容，本发明提供一种导电膜复配促进剂，当其应用于非导体基材上，经过烘干处理后，能够形成一层导电膜，使该基材的方块电阻较低，上铜速率较快，成膜镀铜后背光评级较高，热应力测试效果较好，能够达到印制电路板生产测试的各项技术性能要求。

为达到上述目的，本发明是通过以下技术方案实现的：一种导电膜复配促进剂，包括水性分散体，所述水性分散体中含有导电聚合物及磺酸衍生物，所述水性分散体中添加有促进剂。

进一步的改进是：所述促进剂为聚乙烯磺酸钠、聚乙烯醇、多元胺聚氧乙烯醚表面活性剂、多元醇聚氧丙烯醚表面活性剂中的任意一种或两种以上的混合物。

进一步的改进是：所述促进剂为聚乙烯醇，其分子量为1～50万。

进一步的改进是：所述促进剂为聚乙烯磺酸钠，其分子量为1～50万。

进一步的改进是：所述促进剂为聚乙烯磺酸钠与多元胺聚氧乙烯醚表面活性剂的混合物，所述聚乙烯磺酸钠与多元胺聚氧乙烯醚表面活性剂的质量百分比=（91～96）：（4～9）。

进一步的改进是：所述促进剂为聚乙烯磺酸钠与多元醇聚氧丙烯醚表面活性剂的混合物，所述聚乙烯磺酸钠与多元醇聚氧丙烯醚表面活性剂的质量百分比为=（91～96）：（4～9）。

进一步的改进是：所述促进剂与所述磺酸衍生物的质量百分比=（5～35）：（65～95）。

进一步的改进是：所述磺酸衍生物为聚苯乙烯磺酸钠，其分子量为1～50万。

通过采用前述技术方案，本发明的有益效果是：本发明通过在含有导电聚合物单体及磺酸衍生物的水性分散体中添加促进剂，使聚合物与非导电基材接触时，聚合物导电膜与非导电基材表面的湿润性得到改善，降低了表面张力，从而实现导电膜牢固的嵌入式吸附于非导体基材表面，进一步提高了聚合物导电膜的致密性、均匀性，同时也提高了导电膜与非导体基材表面的结合强度。在导电性方面：导电方块电阻从4.0×10⁴～5.0×10⁴Ω/□减低到100～200Ω/□；热应力方面：在有铅焊料温度为288℃，浸锡三次，每次10s的条件下，未添加促进剂在浸锡之后其导电膜表面与镀铜层就开始出现开裂现象；添加促进剂之后，在有铅焊料288℃，浸锡三次，每次10s的条件下，其导电膜表面与镀铜层仍不开裂。上铜速率方面从0.50cm/min提高到2.5cm/min；背光测试从6-7级提高到9-10级。

具体实施方式

以下将结合具体实施例来详细说明本发明的实施方式，借此对本发明如何应用技术手段来解决技术问题，并达成技术效果的实现过程能充分理解并据以实施。