[发明专利]一种Al‑Ga复合扩散掺杂方法

权利要求书

1.一种Al-Ga复合扩散掺杂方法，其特征在于包括以下工艺步骤：

⑴在第一源盒中装入铝杂质源，在第二源盒中装入镓杂质源，再按顺序分别装入源盒、档片、硅片、陪片，最后将封管放入真空扩散炉中；

⑵先将真空扩散炉抽真空，再升温至铝杂质源预沉积扩散温度范围800~1100℃，并进行铝杂质源预沉积恒温扩散，时间为40~200分钟；

⑶之后再将真空扩散炉升温至镓杂质源扩散温度范围，并同时进行镓杂质源、预沉积铝杂质再分布双杂质恒温扩散；

⑷最后降温出炉。

2.根据权利要求1所述的一种Al-Ga复合扩散掺杂方法，其特征在于：所述第⑴工艺步骤中铝杂质源预沉积在筒形舟内壁。

3.根据权利要求1或2所述的一种Al-Ga复合扩散掺杂方法，其特征在于：所述第⑴工艺步骤中镓杂质源为硅镓粉、锗镓合金或砷化镓。

4.根据权利要求1或2所述的一种Al-Ga复合扩散掺杂方法，其特征在于：所述第⑶工艺步骤中镓杂质源扩散温度为1240~1280℃，镓杂质源、预沉积铝杂质再分布双杂质恒温扩散时间为400~2000分钟。

5.根据权利要求1、2或3所述的一种Al-Ga复合扩散掺杂方法，其特征在于：所述第⑴工艺步骤中铝杂质源为纯度大于等于99.999%的高纯铝，所述的镓杂质源的纯度大于等于 99.9999% 高纯镓杂质源。

6.根据权利要求1或2所述的一种Al-Ga复合扩散掺杂方法，其特征在于：所述第⑵工艺步骤中将真空扩散炉抽真空至真空度达到或高于5×10⁴pa，升温速率为10~15℃/每分钟；所述第⑶工艺步骤中升温速率为5~10℃/每分钟；所述第⑷工艺步骤中降温速率1~3℃/每分钟，降至700℃以后自然降温。