[发明专利]具有四元InAlGaN的LED外延结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201210554795.1 | 申请日： | 2012-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN103022290A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 张宇;余小明;周佐华;农明涛 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/12;H01L33/00;C23C16/44 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明 |
| 地址： | 423038 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 inalgan led 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
1.一种具有四元InAlGaN的LED外延结构，包括：衬底，所述衬底上，由下至上依次设置有GaN缓冲层、未掺杂的GaN层、n型掺杂的GaN层、多量子阱发光层、p型掺杂的InAlGaN电子阻挡层和p型掺杂的GaN层，其特征在于，所述n型掺杂的GaN层及所述多量子阱发光层之间设置有InAlGaN应力释放层。
2.根据权利要求1中所述的LED外延结构，其特征在于，所述InAlGaN应力释放层由自下而上依次分布的第一InAlGaN层和第二InAlGaN层组成，所述第一InAlGaN层的分子式为InaAl（0.15-a）Ga0.75N，所述第二InAlGaN层的分子式为InbAl（0.15-b）Ga0.75N，其中，所述a的取值范围为0.03～0.05，所述b的取值范围为0.10～0.12。
3.根据权利要求1或2所述的LED外延结构，其特征在于，
所述GaN缓冲层的厚度为20nm～30nm；
所述未掺杂的GaN层的厚度为2μm～2.5μm；
所述n型掺杂的GaN层的厚度为2μm～2.5μm；
所述InAlGaN应力释放层的厚度为40nm～50nm；
所述多量子阱发光层的厚度为230nm～250nm；
所述p型掺杂的InAlGaN电子阻挡层的厚度为50nm～60nm；
所述p型掺杂的GaN层的厚度为200nm～250nm。
4.根据权利要求3所述的LED外延结构，其特征在于，
所述第一InAlGaN层的厚度为20nm～25nm；
所述第二InAlGaN层的厚度为20nm～25nm。
5.根据权利要求4所述的LED外延结构，其特征在于，
所述n型掺杂的GaN层与所述InAlGaN应力释放层之间设置有组分为未掺杂的GaN的量子阱垒层，所述量子阱垒层的厚度为60nm～80nm。
6.根据权利要求5所述的LED外延结构，其特征在于，所述多量子阱发光层由15～16个周期的间隔布置的InGaN阱层和InAlGaN垒层叠加组成；
所述多量子阱发光层中：单个周期的所述InGaN阱层的厚度为2.8nm～3nm；单个周期的所述InAlGaN垒层的厚度为12nm～13nm。
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