[发明专利]显示设备及其制造方法有效
申请号: | 201210554972.6 | 申请日: | 2012-12-19 |
公开(公告)号: | CN103178082A | 公开(公告)日: | 2013-06-26 |
发明(设计)人: | 李东澔;黄淳载 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;钟强 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 设备 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本文涉及一种可防止线路之间发生短路的显示设备及其制造方法。
背景技术
目前,已经开发出可降低重量和体积的各种平板型显示器,重量和体积是CRT(阴极射线管)的缺陷。这种平板型显示器的实例是LCD(液晶显示器)、FED(场发射显示器)、PDP(等离子体显示面板)和OLED(有机发光显示器)。
其中,OLED是通过电激发有机化合物而发光的自发光显示器。OLED不需要用于LCD的背光,且由此可将其制造得轻且薄同时简化了工艺。而且,可在低温下制造OLED,且能够提供1ms或以下的高响应速度,以及低功耗、宽视角和高对比度。
OLED包括位于阳极和阴极之间由有机材料形成的发光层。自阳极提供的空穴和自阴极提供的电子在发光层中彼此结合,从而形成空穴电子对的激子。激子在跃迁回到基态时产生能量,从而辐射光。
图1是示出根据现有技术的有机发光显示器的平面图,图2是示出其上具有划痕的有机发光显示器的平面图,图3是示出有机发光显示器的电源单元的截面图。
参考图1,常规有机发光显示器包括有源区A/A和在有源区A/A附近的数据线25和栅极线35。图像显示在有源区A/A上。来自数据IC20的数据信号经由数据线25传送,来自栅极IC30的栅极信号经由栅极线35传送。数据线25与栅极线35交叉。与数据线25平行的数据电源线40和与栅极线35平行的栅极电源线45构成了电源单元。
此处,当从栅极电源线45和数据电源线40彼此交叉的电源单元45的截面看时,栅极电源线45被设置在基板10上,栅极绝缘膜37被设置在栅极电源线45上,数据电源线40被设置在栅极绝缘膜37上。
但是,如图2中所示,当执行有机发光显示器的后续工艺时,有时会在电源单元45上出现切痕或划痕。因此,如图3中所示,数据电源线40可穿过栅极绝缘膜37从而接触栅极电源线45,这会导致电力施加不到面板上。
发明内容
本发明涉及一种可防止线路之间发生短路的显示器及其制造方法。
在一个方面,一种显示设备,包括:基板;设置在基板上的栅极金属线;配置成绝缘所述栅极金属线的栅极绝缘膜;设置在栅极绝缘膜上的数据金属线;和设置在栅极金属线和数据金属线之间位于栅极金属线和数据金属线之间彼此重叠的区域的保护膜。
在另一方面,一种显示设备,包括:基板;设置在基板上的栅极金属线;配置成绝缘所述栅极金属线的栅极绝缘膜;设置在栅极绝缘膜上的数据金属线;设置在数据金属线上的钝化膜;设置在钝化膜上的像素电极;和设置在数据金属线和像素电极之间位于数据金属线和像素电极彼此重叠的区域的保护膜。
在另一方面,一种制造显示设备的方法,该方法包括:在基板上形成栅极金属线;在栅极金属线上形成保护膜;在保护膜上形成栅极绝缘膜;和在栅极绝缘膜上形成数据金属线,其中保护膜形成在栅极金属线和数据金属线彼此重叠的区域。
附图说明
本文包括附图以提供本发明的进一步理解,附图结合到说明书中并构成说明书的一部分,附图示出了本发明的实施例且与文字描述一起用于解释本发明的原理。在附图中:
图1是示出根据现有技术的有机发光显示器的平面图。
图2是示出其上产生划痕的有机发光显示器的平面图。
图3是示出有机发光显示器的电源单元的截面图。
图4是示出根据本发明实施例的显示设备的平面图。
图5是示出根据本发明实施例的显示设备的截面图。
图6A至6D是分别示出制造根据本发明实施例的显示设备的方法的工序的截面图。
图7是示出根据本发明第一实施例的显示设备的保护膜的另一位置的平面图。
图8是示出根据本发明第二实施例的显示设备的截面图。
图9和10是示出根据本发明第三实施例的显示区域的一个单位像素的平面图。
图11是沿着图10的线Ⅰ-Ⅰ’取得的截面图。
图12是示出根据本发明第四实施例的显示区域的单位像素的平面图。
图13是沿着图12的线Ⅱ-Ⅱ’取得的截面图。
具体实施方式
现在将具体参考本发明实施例,其实例于附图中示出。只要可以,在所有附图使用相同参考数字表示相同或相似部件。将注意到,只要确定公知技术会误导本发明实施例,就将省略该技术的具体描述。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的