[发明专利]阻变存储器及其制备方法

权利要求书

1.一种阻变存储器，其特征在于，包括底电极、阻变层、顶电极，所述阻变层位于所述底电极之上；所述顶电极位于所述阻变层之上；所述底电极之上设置有导电突起，所述导电突起嵌在所述阻变层内，且所述导电突起顶部宽度小于底部宽度。

2.如权利要求1所述的阻变存储器，其特征在于，所述底电极之上导电突起的两侧设置有隔离层，所述隔离层与所述导电突起厚度相同。

3.如权利要求1或2所述的阻变存储器，其特征在于，所述导电突起的顶部的宽度范围为10nm到30nm。

4.如权利要求1或2所述的阻变存储器，其特征在于，所述导电突起的生长厚度范围为40nm到60nm。

5.如权利要求1或2所述的阻变存储器，其特征在于，形成所述导电突起的材料为下列之一：

Cu、Al、Ti、TiN、Ag、Ni。

6.如权利要求1或2所述的阻变存储器，其特征在于，形成所述底电极的材料为下列之一：

Pt、Au。

7.如权利要求1或2所述的阻变存储器，其特征在于，所述阻变层的厚度范围为70nm到100nm。

8.一种阻变存储器的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成底电极；

在所述底电极上形成顶部宽度小于底部宽度的导电突起；

在所述底电极及所述导电突起上形成阻变层，并使所述导电突起嵌在所述阻变层内部；

在所述阻变层上形成顶电极。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述在底电极上形成顶部宽度小于底部宽度的导电突起，包括：

在所述底电极之上淀积活泼导电材料；

对所述活泼导电材料进行湿法刻蚀形成顶部宽度小于底部宽度的导电突起。

10.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述在底电极上形成顶部宽度小于底部宽度的导电突起，包括：

在所述底电极之上形成隔离层；

在所述隔离层上刻蚀形成用于在所述底电极上形成导电突起的窗口；

在所述导电突起的窗口处淀积活泼导电材料；

以所述隔离层作为停止层对所述活泼导电材料进行化学机械抛光处理；

对所述活泼导电材料进行湿法刻蚀形成所述导电突起。

11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述在所述底电极及所述导电突起上形成阻变层，包括：

在所述底电极及所述导电突起和所述隔离层之上形成第一阻变层；

以所述隔离层作为停止层，对所述第一阻变层进行化学机械抛光处理；

在化学机械抛光处理后的第一阻变层之上形成第二阻变层。