[发明专利]非挥发性记忆体及其制作方法

权利要求书

1.一种非挥发性记忆体，其特征在于其包括：

栅极结构，配置于基底上，所述栅极结构二侧的所述基底中具有凹陷，所述栅极结构包括：

栅介电层，配置于所述基底上，所述栅介电层与所述基底之间具有界面；及

栅极，配置于所述栅介电层上；

掺杂区，配置于所述凹陷周围的所述基底中；

电荷储存层，配置于所述凹陷中，且所述电荷储存层的顶面高于所述界面；以及

第一介电层，配置于所述电荷储存层与所述基底之间以及所述电荷储存层与所述栅极结构之间。

2.根据权利要求1所述的非挥发性记忆体，其特征在于其中所述电荷储存层的厚度介于至之间。

3.根据权利要求1所述的非挥发性记忆体，其特征在于其中所述凹陷具有倾斜侧壁。

4.根据权利要求1所述的非挥发性记忆体，其特征在于其中所述所述电荷储存层的材料包括氮化物或高介电常数材料。

5.根据权利要求1所述的非挥发性记忆体，其特征在于还包括第二介电层，配置于所述电荷储存层上，且所述第二介电层的顶面与所述栅极结构的顶面共平面。

6.根据权利要求5所述的非挥发性记忆体，其特征在于还包括导体层，配置于所述第二介电层与所述栅极结构上。

7.根据权利要求1所述的非挥发性记忆体，其特征在于其中所述掺杂区与所述界面之间具有距离，所述凹陷具有底面与至少一个侧壁，且所述掺杂区配置于所述底面下方的所述基底中并围绕所述侧壁的一部分。

8.根据权利要求7所述的非挥发性记忆体，其特征在于其中所述距离介于0.005μm至0.01μm之间。

9.一种非挥发性记忆体的制作方法，其特征在于其包括以下步骤：

在基底上形成栅极结构，所述栅极结构包括：

栅介电层，位于所述基底上，所述栅介电层与所述基底之间具有界面；以及

栅极，位于所述栅介电层上；

在所述栅极结构二侧的所述基底中形成凹陷；

在所述基底与所述栅极结构上形成第一介电层；

在所述凹陷周围的所述基底中形成掺杂区；

在所述凹陷中形成电荷储存层，所述电荷储存层的顶面高于所述界面。

10.根据权利要求9所述的非挥发性记忆体的制作方法，其特征在于其中所述电荷储存层的厚度介于至之间。

11.根据权利要求9所述的非挥发性记忆体的制作方法，其特征在于其中所述凹陷具有倾斜侧壁。

12.根据权利要求9所述的非挥发性记忆体的制作方法，其特征在于其中所述电荷储存层的材料包括氮化物或高介电常数材料。

13.根据权利要求9所述的非挥发性记忆体的制作方法，其特征在于其中在形成所述电荷储存层之后，还包括在所述电荷储存层上形成第二介电层。

14.根据权利要求13所述的非挥发性记忆体的制作方法，其特征在于其中在形成所述第二介电层之后，还包括进行平坦化工艺，移除部分所述第一介电层与部分所述第二介电层，直到暴露出所述栅极。

15.根据权利要求14所述的非挥发性记忆体的制作方法，其特征在于其中在进行所述平坦化工艺之后，还包括在所述第二介电层与所述栅极结构上形成导体层。

16.根据权利要求14所述的非挥发性记忆体的制作方法，其特征在于其中所述掺杂区与所述界面之间具有距离，所述凹陷具有底面与至少一个侧壁，且所述掺杂区形成于所述底面下方的所述基底中并围绕所述侧壁的一部分。

17.根据权利要求16所述的非挥发性记忆体的制作方法，其特征在于其中所述距离介于0.005μm至0.01μm之间。