[发明专利]一种双层ITO的布线结构

权利要求书

1.一种双层ITO的布线结构，每层ITO上分别设有驱动电极和感测电极，所述感测电极依次顺序布设在两个相邻驱动电极的空隙内，其特征在于，所述驱动电极和感测电极均呈“王”字型，包括第一纵轴、第二纵轴、第三纵轴和横轴，其中驱动电极的横轴宽度大于纵轴的宽度，感测电极第二纵轴的宽度和长度分别大于第一纵轴、第二纵轴及横轴的宽度和长度，且所述第二纵轴的四角为倒角。

2.根据权利要求1所述的双层ITO的布线结构，其特征在于，所述两相邻的感测电极相互桥接。

3.根据权利要求2所述的双层ITO的布线结构，其特征在于，所述两相邻的感测电极通过一金属导线相桥接，桥接点位于所述感测电极的第二纵轴处，所述金属导线与所述驱动电极之间覆盖有一层绝缘层。

4.根据权利要求1所述的双层ITO的布线结构，其特征在于，所述驱动电极为若干个“王”字型电极一体成型。

5.根据权利要求1所述的双层ITO的布线结构，其特征在于，所述驱动电极的每个纵轴的宽度相同。

6.根据权利要求1所述的双层ITO的布线结构，其特征在于，所述驱动电极的第二纵轴的长度大于其它纵轴的长度。

7.根据权利要求1所述的双层ITO的布线结构，其特征在于，所述感测电极的第一纵轴和第三纵轴的长度和宽度均相同。

8.根据权利要求1所述的双层ITO的布线结构，其特征在于，所述感测电极中的第二纵轴的倒角为45°。

9.根据权利要求1所述的双层ITO的布线结构，其特征在于，所述驱动电极和感测电极布设在同一侧面内。