[发明专利]浅沟槽隔离结构的形成方法在审
| 申请号： | 201210556439.3 | 申请日： | 2012-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN103050431A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 王硕;许忠义 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 结构 形成 方法 | ||
1.一种浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底；
在所述半导体衬底内形成若干隔离沟槽；
在750℃~900℃温度条件下，通过热氧化工艺在所述隔离沟槽的底部和侧壁以及隔离沟槽两侧的半导体衬底上形成衬垫氧化层；
在所述衬垫氧化层上形成氧化层，所述氧化层填满底部和侧壁形成有衬垫氧化层的隔离沟槽；
平坦化所述氧化层和衬垫氧化层，至暴露出所述半导体衬底，形成浅沟槽隔离结构。
2.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述热氧化工艺的反应气体为反式二氯乙烯和氧气的混合气体。
3.如权利要求2所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，反应气体中反式二氯乙烯的流量为0.08slm~0.24slm，氧气的流量为8slm~15slm。
4.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述热氧化工艺的压强为1.013E5Pa。
5.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，平坦化所述氧化层和衬垫氧化层的方法为化学机械研磨工艺。
6.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述半导体衬底的材料为硅、锗硅或者绝缘体上硅。
7.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，在所述半导体衬底内形成若干隔离沟槽的方法为干法刻蚀。
8.如权利要求7所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述干法刻蚀的刻蚀气体为Cl2、HBr和O2的混合气体或者He和CO4的混合气体。
9.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，形成氧化层的方法为高温氧化工艺。
10.如权利要求9所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述高温氧化工艺的反应气体为硅烷和氧气的混合气体。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
