[发明专利]一种蓝宝石表面化学机械平整化加工方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体、电子/机械行业器件的加工方法技术领域，具体涉及一种蓝宝石表面化学机械平整化加工方法。

背景技术

继Si、GaAs之后，GaN成为第三代半导体材料，它使激光二极管和发光二极管又上了一个新台阶，但它本身不易制成体材料，必须在其他衬底材料上生长薄膜，而蓝宝石就是其最主要的衬底材料，作为衬底材料对晶体表面有着超光滑的要求，研究表明衬底的表面加工水平决定了器件的质量，尤其是用于GaN生长的蓝宝石衬底片的精密加工技术是目前研究的重点；目前蓝宝石在切割前只有减薄和抛光两个粗略的步骤，而此法生产的蓝宝石片粗糙度较大，表面还有较深划伤，需要从新研磨抛光，增加了蓝宝石片的成本。

发明内容

发明目的： 本发明的目的是为了弥补现有技术的不足，提供一种可以得到高平整度的蓝宝石衬底片的加工方法。

技术方案：一种蓝宝石表面化学机械平整化加工方法，包括以下步骤：

A．粘片  将蓝宝石片长有器件的一面用粘片设备粘在玻璃片上；

B．粗磨  利用粗磨机将蓝宝石衬底的厚度减薄至150μm左右，粗糙度为2.0μm左右；在加工条件为温度25-35℃，压力1-5kg

C．细磨  用细磨机将蓝宝石衬底的厚度减薄至90~100μm，粗糙度为0.5μm左右，厚度均匀度在2.0μm以内；

D．粗抛  用粗抛机和粗抛液对蓝宝石衬底进行抛光，粗糙度0.1μm，厚度均匀度1.0μm以内；

E．精抛  用精抛机和精抛液对蓝宝石衬底进行抛光，使粗糙度到20μm以下。

作为优化，所述加工方法的加工条件为温度25-35℃，压力1-5kg。

有益效果：本发明所述的一种蓝宝石表面化学机械平整化加工方法，使蓝宝石在切割时表面平整度得到加强，降低了加工成本。

具体实施方式

下面结合具体实施例对本发明作进一步说明：

实施例1：

 一种蓝宝石表面化学机械平整化加工方法，包括以下步骤：粘片，粗磨，细磨，粗抛，精抛；在加工条件为温度25℃，压力1kg的情况下，将蓝宝石片长有器件的一面用粘片设备粘在玻璃片上，利用粗磨机将蓝宝石衬底的厚度减薄至150μm左右，粗糙度为2.0μm左右，用细磨机将蓝宝石衬底的厚度减薄至90μm，粗糙度为0.5μm左右，厚度均匀度在2.0μm以内，用粗抛机和粗抛液对蓝宝石衬底进行抛光，粗糙度0.1μm，厚度均匀度1.0μm以内，用精抛机和精抛液对蓝宝石衬底进行抛光，使粗糙度到20μm以下。

实施例2：

一种蓝宝石表面化学机械平整化加工方法，包括以下步骤：粘片，粗磨，细磨，粗抛，精抛；在加工条件为温度30℃，压力3kg的情况下，将蓝宝石片长有器件的一面用粘片设备粘在玻璃片上，利用粗磨机将蓝宝石衬底的厚度减薄至150μm左右，粗糙度为2.0μm左右，用细磨机将蓝宝石衬底的厚度减薄至95μm，粗糙度为0.5μm左右，厚度均匀度在2.0μm以内，用粗抛机和粗抛液对蓝宝石衬底进行抛光，粗糙度0.1μm，厚度均匀度1.0μm以内，用精抛机和精抛液对蓝宝石衬底进行抛光，使粗糙度到20μm以下。

实施例3：

一种蓝宝石表面化学机械平整化加工方法，包括以下步骤：粘片，粗磨，细磨，粗抛，精抛；在加工条件为温度35℃，压力5kg的情况下，将蓝宝石片长有器件的一面用粘片设备粘在玻璃片上，利用粗磨机将蓝宝石衬底的厚度减薄至150μm左右，粗糙度为2.0μm左右，用细磨机将蓝宝石衬底的厚度减薄至100μm，粗糙度为0.5μm左右，厚度均匀度在2.0μm以内，用粗抛机和粗抛液对蓝宝石衬底进行抛光，粗糙度0.1μm，厚度均匀度1.0μm以内，用精抛机和精抛液对蓝宝石衬底进行抛光，使粗糙度到20μm以下。