[发明专利]基板处理方法以及基板处理装置

权利要求书

1.一种基板处理方法，其特征在于，包括：

前处理工序，一边以前处理排气流量从配置有基板的密闭空间抽吸气体，一边向上述密闭空间供给非活性气体；

蚀刻工序，在进行了上述前处理工序之后，一边以比上述前处理排气流量小的蚀刻排气流量从上述密闭空间排出气体，一边向上述密闭空间供给处理蒸气，利用因处理蒸气凝聚在上述基板上而形成在上述基板上的液膜，对上述基板进行蚀刻；

后处理工序，在进行了上述蚀刻工序之后，一边以比上述蚀刻排气流量大的后处理排气流量从上述密闭空间抽吸气体，一边向上述密闭空间供给非活性气体。

2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，上述蚀刻工序包括弱排气工序和抽吸停止工序中的至少一个，其中，在上述弱排气工序中，一边以上述蚀刻排气流量从上述密闭空间抽吸气体，一边向上述密闭空间供给处理蒸气，在上述抽吸停止工序中，在停止从上述密闭空间抽吸气体的状态下，一边以上述蚀刻排气流量从上述密闭空间排出气体，一边向上述密闭空间供给处理蒸气。

3.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其特征在于，在上述前处理工序之后且上述蚀刻工序之前，还包括置换工序，在上述置换工序中，一边以比上述蚀刻排气流量大的置换排气流量从上述密闭空间抽吸气体，一边向上述密闭空间供给处理蒸气。

4.根据权利要求3所述的基板处理方法，其特征在于，包括在进行上述后处理工序之前使上述置换工序和上述蚀刻工序交替地进行多次的反复工序。

5.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其特征在于，上述蚀刻工序包括如下工序：在基板被形成有使流体在内部空间与外部空间之间流通的流通孔且配置于上述密闭空间中的处理容器覆盖的状态下，一边从上述处理容器的上述外部空间排出气体，一边向上述处理容器的上述内部空间供给处理蒸气。

6.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其特征在于，上述蚀刻工序包括如下工序：在基板被环状的防护壁包围的状态下，一边从上述密闭空间排出气体，一边向上述密闭空间供给处理蒸气。

7.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其特征在于，上述基板是在表面形成有氮化膜的基板。

8.一种基板处理装置，其特征在于，

包括：

处理室，在内部设置有密闭空间，

基板保持单元，在上述密闭空间中保持基板，

处理蒸气供给单元，向上述密闭空间供给处理蒸气，

非活性气体供给单元，向上述密闭空间供给非活性气体，

排气单元，从上述密闭空间抽吸气体，

控制装置，控制上述处理蒸气供给单元、上述非活性气体供给单元以及上述排气单元；

上述控制装置执行如下工序：

前处理工序，一边通过上述排气单元以前处理排气流量从上述密闭空间抽吸气体，一边通过上述非活性气体供给单元向上述密闭空间供给非活性气体，

蚀刻工序，在进行了上述前处理工序之后，一边以比上述前处理排气流量小的蚀刻排气流量使气体从上述密闭空间排出至上述排气单元，一边通过上述处理蒸气供给单元向上述密闭空间供给处理蒸气，利用因处理蒸气凝聚在上述基板上而形成在上述基板上的液膜，对上述基板进行蚀刻，

后处理工序，在进行了上述蚀刻工序之后，一边通过上述排气单元以比上述蚀刻排气流量大的后处理排气流量从上述密闭空间抽吸气体，一边通过上述非活性气体供给单元向上述密闭空间供给非活性气体。

9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，上述控制装置执行包括弱排气工序和抽吸停止工序中的至少一个的上述蚀刻工序，其中，在上述弱排气工序中，一边通过上述排气单元以上述蚀刻排气流量从上述密闭空间抽吸气体，一边通过上述处理蒸气供给单元向上述密闭空间供给处理蒸气，在上述抽吸停止工序中，在停止通过上述排气单元抽吸气体的状态下，一边以上述蚀刻排气流量使气体从上述密闭空间排出至上述排气单元，一边通过上述处理蒸气供给单元向上述密闭空间供给处理蒸气。

10.根据权利要求8或9所述的基板处理装置，其特征在于，上述控制装置在上述前处理工序之后且上述蚀刻工序之前还执行置换工序，在该置换工序中，一边通过上述排气单元以比上述蚀刻排气流量大的置换排气流量从上述密闭空间抽吸气体，一边通过上述处理蒸气供给单元向上述密闭空间供给处理蒸气。