[发明专利]铝基电路板及其制造方法无效
申请号: | 201210557250.6 | 申请日: | 2012-12-19 |
公开(公告)号: | CN103068154A | 公开(公告)日: | 2013-04-24 |
发明(设计)人: | 刘伟;卢大伟 | 申请(专利权)人: | 浙江远大电子开发有限公司 |
主分类号: | H05K1/05 | 分类号: | H05K1/05;H05K1/09;H05K3/10 |
代理公司: | 舟山固浚专利事务所 33106 | 代理人: | 范荣新 |
地址: | 316100 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电路板 及其 制造 方法 | ||
1.一种铝基电路板,由铝基板、绝缘层和导体层组成,其特征是其中绝缘层是铝基板表面氧化层,氧化层厚度为45—55μm,导体层厚度为7—13μm。
2.如权利要求1所述的铝基电路板,其特征是所说导体层是由三层镀膜组成的,由氧化铝绝缘层向外分别是以铬、镍、银为靶材的真空连续磁控溅射镀膜层,其中铬镀膜厚度为3—5μm 、镍镀膜厚度为3—5μm 、银镀膜厚度为1—3μm。
3.如权利要求1或2所述的铝基电路板的制造方法,其特征是先对铝基板表面进行氧化,再在氧化层上用感光线路油墨印制导体线路图的阴文图案,再在印有阴文图案的氧化层上以真空连续磁控溅射镀膜工艺镀制导体层,最后清洗去感光线路油墨得由导体层、氧化层和铝基层构成的铝基电路板。
4.如权利要求3所述的铝基电路板的制造方法,其特征是所说氧化采用阳极氧化工艺进行,氧化温度为15℃—22℃,氧化电压130—150V,电流密度为1.0—1.5A/dm2,氧化时间为t=M/Dk,式中t为时间, M为经验值,M=50—60,单位是min·A/ dm2,Dk为电流密度,单位是A/dm2。
5.如权利要求3或4所述的铝基电路板的制造方法,其特征是所说氧化前先对铝基板表面通过机械摩擦方法进行表面粗造化和用氢氧化钠和硝酸进行化学清洗。
6.如权利要求3或4所述的铝基电路板的制造方法,其特征是所说氧化后对氧化层用H2O进行封孔处理。
7.如权利要求3所述的铝基电路板的制造方法,其特征是所说真空连续磁控溅射镀膜工艺中,依次以铬、镍、银为靶材,先后在电压为380—430V、电流为23—25A,温度为60—80℃、相对气压为1×10-3Pa下进行,其中三层厚度分别为铬3—5μm 、镍3—5μm 、银1—3μm。
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