[发明专利]功率模块以及空调装置

说明书

技术领域

本发明涉及具有改善功率因数的PFC（Power Factor Correction，功率因数校正）功能的功率模块和具备该功率模块的空调装置。

背景技术

已知用于提高功率使用的效率的具有改善功率因数的PFC功能的功率模块。

在该功率模块中，按照专利文献1中公开的各元件间的连接关系，提出了如下结构：具备2相的半导体开关元件（一对半导体开关元件）、连接于各相的半导体开关元件的一对二极管、以及与该一对二极管共同连接的一个端子（P端子）。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2009–110981号公报。

发明要解决的问题

然而，在对2相的半导体开关元件共同使用一个端子（P端子）的上述结构中，2相的半导体开关元件的共同阻抗较大，功率模块内的振荡现象也大。其结果是，存在以下问题：在高速开关时，在2相的半导体开关元件的栅极–发射极间的起因于振荡现象的噪声变大。

发明内容

因此，本发明是鉴于上述那样的问题而完成的，其目的在于，提供一种能够抑制在一对半导体开关元件中产生的噪声的技术。

用于解决问题的方案

本发明的功率模块是具有PFC（Power Factor Correction）功能的功率模块，其中，具备：一对半导体开关元件；一对第一二极管，与所述一对半导体开关元件分别连接，构成反向导通元件；以及一对第二二极管，与所述一对半导体开关元件分别连接，具有整流功能。而且，所述功率模块具备：驱动部，对所述一对半导体开关元件进行驱动；以及一对端子，互相独立地设置，分别连接于所述一对第一二极管的与所述一对半导体开关元件连接的一端相反的另一端。

此外，作为与上述不同的结构，本发明的功率模块是具有与交错（interleave）方式对应的PFC（Power Factor Correction）功能的功率模块，其中，具备：一对半导体开关元件；以及一对二极管，与所述一对半导体开关元件分别连接，构成反向导通元件。而且，所述功率模块具备：驱动部，对所述一对半导体开关元件进行驱动；以及一对端子，互相独立地设置，分别连接于所述一对二极管的与所述一对半导体开关元件连接的一端相反的另一端。

发明效果

根据本发明，一对半导体开关元件经由一对第一二极管与一对端子连接。因此，能够减少作用于一对半导体开关元件的共同阻抗，其结果是，能够抑制在一对半导体开关元件中产生的噪声。

附图说明

图1是表示实施方式1的空调装置的结构的电路图。

图2是表示实施方式1的功率模块的结构的平面图。

图3是表示实施方式2的空调装置的结构的电路图。

图4是表示实施方式2的功率模块的结构的平面图。

图5是表示关联空调装置的结构的电路图。

图6是表示关联空调装置具备的功率模块的结构的平面图。

具体实施方式

<实施方式1>

图1是表示本发明实施方式1的空调装置的结构的电路图。如图1所示，空调装置具备：具有改善功率因数的PFC（Power Factor Correction）功能的功率模块1、交流电源2、一对电感3a、3b、平滑电容器4、变换器（inverter）5、以及电阻6。

图2是表示本实施方式的功率模块1的结构的平面图。该功率模块1具备：一对作为Si–IGBT的IGBT11a、11b、一对第一二极管12a、12b、一对第二二极管13a、13b、驱动IC14、一对P端子21a、21b（一对端子）、以及端子22a、22b、23a、23b、24。再有，一对P端子21a、21b是功率模块1的输出端子，互相独立地设置。

一对P端子21a、21b、以及端子22a、22b、23a、23b、24（以下称为“端子组21a~24”）以由金属等形成的框架（frame）构成。IGBT11a、11b、第一二极管12a、12b、第二二极管13a、13b、以及驱动IC14（以下称为“IGBT11a等”）选择性地设置在端子组21a~24上。而且，IGBT11a等、端子组21a~24的一部分、以及选择性地将它们之间连接的导线（wire）布线26被封装（package）27覆盖。