[发明专利]一种提高有机场效应晶体管性能的方法

权利要求书

1.提高空气间隙结构的有机单晶半导体材料的场效应晶体管性能的方法，

参照现有技术制备有机单晶半导体材料及空气间隙场效应晶体管，其特征是：场效应晶体管制备完成后，在腔体内充入相关的气体，其中：p-型半导体通入氧化性气体，即二氧化氮或一氧化氮或二氧化硫，n-型半导体通入还原性酒精气体，使气体吸附到沟道处。

2.提高底栅极结构的有机单晶半导体材料的场效应晶体管性能的方法，参照现有技术制备有机单晶半导体材料，其特征是：  将合成的有机单晶材料放入相关的气体其中：p-型半导体通入氧化性气体，即二氧化氮或一氧化氮或二氧化硫，n-型半导体通入还原性气体酒精，使气体在材料表面有一定的吸附；将已有气体吸附的有机单晶材料，利用机械转移的办法制备成有机单晶场效应晶体管；采用PMMA和有机材料相容的钝化层封装器件。

3. 提高顶栅极结构的有机单晶半导体材料的场效应晶体管性能的方法，参照现有技术在特定衬底上制备出有机晶体材料，其特征是： 在制备绝缘层前，将有机晶体材料放入相关的气体，其中：p-型半导体通入氧化性气体，即二氧化氮或一氧化氮或二氧化硫，n-型半导体通入还原性酒精气体，使气体在材料表面有一定的吸附；制备出绝缘层和栅极，完成场效应晶体管制备。