[发明专利]显示板和显示装置有效

专利信息
申请号: 201210558584.5 申请日: 2012-12-11
公开(公告)号: CN103165626A 公开(公告)日: 2013-06-19
发明(设计)人: 喜田和夫 申请(专利权)人: 松下液晶显示器株式会社
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L29/786;H01L23/552
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 陈伟;孟祥海
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 显示 显示装置
【权利要求书】:

1.一种显示板,其特征在于,包括:

形成有薄膜晶体管的透明基板;

半导体层,其构成上述薄膜晶体管的沟道部,并以氧化物半导体为材料;

电极,其由透明导电材料形成在上述透明基板上,并位于上述半导体层的上方;以及

遮光导体,其具有比上述透明导电材料高的导电率,且由具有遮光性的材料形成在上述电极上,并覆盖上述半导体层。

2.根据权利要求1所述的显示板,其特征在于,

上述薄膜晶体管是设于上述透明基板的像素上的晶体管,

上述电极是公共电极。

3.根据权利要求2所述的显示板,其特征在于,

在上述透明基板上形成有与上述薄膜晶体管连接的栅电极线,

上述遮光导体沿着上述栅电极线延伸。

4.根据权利要求3所述的显示板,其特征在于,

上述半导体层整体由上述遮光导体与上述栅电极线覆盖。

5.根据权利要求2所述的显示板,其特征在于,

在上述透明基板上形成有像素电极,

上述遮光导体和上述公共电极形成在比上述像素电极低的层上。

6.根据权利要求2所述的显示板,其特征在于,

在上述透明基板上形成有利用光取向形成的取向膜,

且上述遮光导体形成在比上述取向膜低的层上。

7.根据权利要求1所述的显示板,其特征在于,

在上述透明基板的显示区域形成有电极线,

上述薄膜晶体管是形成在上述显示区域外侧的区域即周缘区域上、且与上述电极线的端部连接的晶体管,

上述遮光导体和形成有上述遮光导体的上述电极覆盖形成在上述周缘区域上的上述薄膜晶体管的上述半导体层。

8.根据权利要求7所述的显示板,其特征在于,

在上述透明基板的上述显示区域形成有公共电极,

形成了上述遮光导体的上述电极形成在上述透明基板的上述周缘区域,并与上述公共电极连接。

9.根据权利要求8所述的显示板,其特征在于,具有:

第一薄膜晶体管,其设于上述透明基板的上述显示区域的像素中;

半导体层,其构成上述第一薄膜晶体管的沟道部,并由氧化物半导体形成;

第一遮光导体,其形成在上述公共电极上,并覆盖上述第一薄膜晶体管的上述半导体层;

第二薄膜晶体管,其作为形成在上述透明基板的周缘区域的上述薄膜晶体管发挥作用;以及

第二遮光导体,其作为覆盖构成上述第二薄膜晶体管的上述半导体层的上述遮光导体发挥作用,且与上述第一遮光导体连接。

10.根据权利要求9所述的显示板,其特征在于,

上述第一遮光导体在上述电极线的延伸方向上延伸,

上述第二遮光导体在与上述电极线的延伸方向正交的方向上扩展。

11.根据权利要求7所述的显示板,其特征在于,

在上述透明基板的周缘区域形成有:形成在比上述半导体层低的层上的第一栅电极线;以及在上述透明基板的厚度方向与上述第一栅电极线对置、并作为形成了上述遮光导体的上述电极发挥作用的第二栅电极线。

12.根据权利要求11所述的显示板,其特征在于,包括:

第一薄膜晶体管,其设于上述透明基板的上述显示区域的像素中;

半导体层,其构成上述第一薄膜晶体管的沟道部,并由氧化物半导体形成;

电极,其形成在上述透明基板的上述显示区域;

第一遮光导体,其形成在上述显示区域的上述电极上,并覆盖上述第一薄膜晶体管的上述半导体层;

第二薄膜晶体管,其作为形成在上述透明基板的周缘区域的上述薄膜晶体管发挥作用;以及

第二遮光导体,其形成在上述第二栅电极线上,并覆盖构成上述第二薄膜晶体管的上述半导体层。

13.一种显示装置,其包含权利要求1所述的显示板。

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