[发明专利]一种基于AgInSbTe硫系化合物的忆阻器及其制备方法

权利要求书

1.一种基于AgInSbTe硫系化合物的忆阻器，该忆阻器包括上电极层、下电极层以及位于上下电极层之间的功能材料层，其特征在于：所述功能材料层由AgInSbTe硫系合金化合物制成。

2.如权利要求1所述的忆阻器，其特征在于，所述AgInSbTe硫系合金化合物为以下分子式结构的合金化合物中的任意一种或其组合：Ag₅In₅Sb₆₀Te₃₀、Ag_5.5In_6.5Sb₅₉Te₂₉、Ag₇In₃Sb₆₀Te₃₀、Ag₃In₄Sb₇₆Te₁₇、Ag1_2.4In_3.8Sb_55.2Te_28.6、Ag_3.4In_3.7Sb_76.4Te_16.5、AgSbTe₂和AgInTe。

3.如权利要求1或2所述的忆阻器，其特征在于，所述功能材料层的厚度为5nm～600nm。

4.如权利要求3所述的忆阻器，其特征在于，所述上、下电极层由Ag、Cu、Al、Pt、Ta、Au、Ti、Ti₃W₇、W、Cr、ITO、TiN、TaN、IZO这些材质中的一种或多种构成，且其厚度为10nm～800nm。

5.如权利要求1-4任意一项所述的忆阻器，其特征在于，所述忆阻器还具有衬底，所述上电极层、功能材料层和下电极层共同构成三明治结构，并设置在该衬底之上。

6.如权利要求5所述的忆阻器，其特征在于，所述上电极层、功能材料层和下电极层三者之间形成十字交叉状结构。

7.一种用于制备如权利要求1-7任意一项所述的忆阻器的方法，该方法包括下列步骤：

（a）在Si或SiO₂衬底上利用光刻、刻蚀或纳米压印技术制作下电极图形，并通过薄膜沉积法形成下电极层；

（b）在通过步骤（a）所形成的下电极层上沉积由AgInSbTe硫系合金化合物构成的功能材料，并通过剥离工艺制得以该功能材料作为存储介质的功能材料层；

（c）在通过步骤（b）所制得的功能材料层上利用光刻、刻蚀或纳米压印技术制作上电极图形，然后通过薄膜沉积法形成上电极层，由此制得相应的忆阻器器件产品。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述薄膜沉积法譬如包括磁控溅射法、化学气相沉积法、电子束蒸发法、原子层沉积法或者激光辅助沉积法。

9.如权利要求7或8所述的方法，其特征在于，所述上、下电极层的厚度分别为10nm～800nm，所述功能材料层的厚度为5nm～600nm，并且所述上电极层、功能材料层和下电极层三者之间被形成为彼此垂直的十字交叉结构。