[发明专利]三阱隔离二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种三阱隔离二极管，包括：

衬底，具有第一导电类型；

隐埋层，位于所述衬底中，其中，所述隐埋层具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型；

外延层，位于所述衬底和所述隐埋层上方，其中，所述外延层具有所述第一导电类型；

第一阱，位于所述外延层中，其中，所述第一阱具有所述第二导电类型；

第二阱，位于所述外延层中并围绕在所述第一阱的周围，其中，所述第二阱具有所述第一导电类型；

第三阱，位于所述外延层中并围绕在所述第二阱的周围，其中，所述第三阱具有所述第二导电类型；以及

深阱，位于所述外延层中并延伸到所述第一阱的下方以电连接至所述第一阱的相对侧上的所述第二阱，其中，所述深阱具有所述第一导电类型。

2.根据权利要求1所述的三阱隔离二极管，还包括：

第一接触区，在所述外延层围绕在所述第三阱的周围的区域中电连接至所述外延层，其中，所述第一接触区具有所述第一导电类型；以及

第二接触区，在所述外延层围绕在所述第三阱的周围的区域中电连接至所述外延层，其中，所述第二接触区具有所述第一导电类型，并且所述第一接触区和所述第二接触区被配置为将所述外延层电连接至地电压。

3.根据权利要求2所述的三阱隔离二极管，还包括：第三接触区，所述第三接触区具有所述第二导电类型，并且所述第三接触区被配置为将所述第一阱电连接至输出电压。

4.根据权利要求3所述的三阱隔离二极管，还包括：

第四接触区，电连接至所述第三阱，其中，所述第四接触区具有所述第二导电类型；

第五接触区，电连接至所述第三阱，其中，所述第五接触区具有所述第二导电类型，并且所述第四接触区和所述第五接触区被配置为将所述第三阱电连接至输入电压；

第六接触区，电连接至所述第二阱，其中，所述第六接触区具有所述第一导电类型；以及

第七接触区，电连接至所述第二阱，其中，所述第七接触区具有所述第一导电类型，并且所述第六接触区和所述第七接触区被配置为将所述第二阱电连接至所述输入电压。

5.根据权利要求1所述的三阱隔离二极管，还包括：

多个第一隔离部件，形成在所述第一阱和所述第二阱之间；以及

多个第二隔离部件，形成在所述第三阱和所述外延层之间。

6.根据权利要求1所述的三阱隔离二极管，其中，所述第二阱被配置为沿着所述第二阱的整个外表面电连接至所述第三阱。

7.根据权利要求1所述的三阱隔离二极管，其中，所述隐埋层延伸到所述第二阱的下方并且被配置为电连接至所述第二阱的两侧的所述第三阱。

8.根据权利要求1所述的三阱隔离二极管，其中，所述第一阱、所述第二阱和所述第三阱被配置为具有小于1％的衬底电流泄漏率。

9.一种半导体器件，包括：

升压转换器电路，其中，所述升压转换器电路包括：

三阱隔离二极管，包括：

衬底，具有第一导电类型；

隐埋层，位于所述衬底中，其中，所述隐埋层具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型；

外延层，位于所述衬底和所述隐埋层上方，其中，所述外延层具有所述第一导电类型；

第一阱，位于所述外延层中，其中，所述第一阱具有所述第二导电类型；

第二阱，位于所述外延层中并围绕在所述第一阱的周围，其中，所述第二阱具有所述第一导电类型；

第三阱，位于所述外延层中并围绕在所述第二阱的周围，其中，所述第三阱具有所述第二导电类型；以及

深阱，位于所述外延层中并延伸到所述第一阱的下方以电连接至所述第一阱的相对侧上的所述第二阱，其中，所述深阱具有所述第一导电类型。

10.一种制造三阱隔离二极管的方法，包括：

在衬底中形成隐埋层，所述隐埋层具有第二导电类型，而所述衬底具有与所述第二导电类型相反的第一导电类型；

在所述衬底和所述隐埋层上方形成外延层，所述外延层具有所述第一导电类型；

在所述外延层中形成第一阱，所述第一阱具有所述第二导电类型；

在所述外延层中形成第二阱，所述第二阱具有所述第一导电类型并围绕所述第一阱；

在所述外延层中形成第三阱，所述第三阱具有所述第二导电类型并围绕所述第二阱；以及

在所述外延层中形成深阱，所述深阱具有所述第一导电类型并延伸到所述第一阱的下方以电连接至所述第一阱的两侧的所述第二阱。