[发明专利]含有过载保护功能的DC-DC变换控制器

权利要求书

1.一种含有过载保护功能的DC-DC变换控制器，包括电流采样电路(1)、误差放大器EA、斜波补偿电路(2)、两个比较器(3，4)、逻辑驱动电路(5)和振荡器(6)；电流采样电路(1)与斜波补偿电路(2)相连，误差放大器EA和斜波补偿电路(2)均与第二比较器(4)相连，第二比较器(4)、第一比较器(3)和振荡器(6)均与逻辑驱动电路(5)相连，逻辑驱动电路(5)输出驱动信号控制外部功率管通断；其特征在于：第一比较器(3)与振荡器(6)之间连接有过载保护电路(7)；

所述过载保护电路(7)，包括过载检测模块(71)、比较阈值控制模块(72)和振荡频率控制模块(73)；过载检测模块(71)的输入端与其所在芯片的输入电压VFB相连，输出端输出第一过载电流I1和第二过载电流I2分别给比较阈值控制模块(72)和振荡频率控制模块(73)的输入端；比较阈值控制模块(72)输出阈值控制信号V8给第一比较器(3)，用于控制第一比较器(3)的比较阈值；振荡频率控制模块(73)输出频率控制信号V9给振荡器(6)，用于控制振荡器(6)的振荡频率。

2.根据权利要求书1所述的DC-DC变换控制器，其特征在于过载检测模块(71)，包括：第一运算放大器OP1和三个NMOS管，其中：

第一运算放大器OP1，其同相输入端与其所在芯片的基准电压VREF1相连，其反相输入端与其所在芯片的输入电压VFB相连，其输出端分别与第一NMOS管MN1的栅极、漏极以及第二NMOS管MN2和第三NMOS管MN3的栅极相连；

第一NMOS管MN1，其源极接地；

第二NMOS管MN2，其源极接地，其漏极输出第一过载电流I1给比较阈值控制模块(72)；

第三NMOS管MN3，其源极接地，其漏极输出第二过载电流I2给振荡频率控制模块(73)。

3.根据权利要求书1所述的DC-DC变换控制电路，其特征在于比较阈值控制模块(72)，包括：比较器(721)、第三电阻R3和电流源IT；

所述比较器(721)，其同相输入端分别与过载检测模块(71)所输出的第一过载电流I1、电流源IT和第三电阻R3的一端相连，其反相输入端与电流采样电路(1)所输出的电流采样信号V1相连，其输出端输出阈值控制信号V8给第一比较器(3)；

所述第三电阻R3的另一端接地。

4.根据权利要求书1所述的DC-DC变换控制电路，其特征在于振荡频率控制模块(73)，包括：第二运算放大器OP2、触发器(731)、电容C1、五个PMOS管、四个NMOS管和反相器INV，其中：

第二运算放大器OP2，其同相输入端与其所在芯片的输入电压VCMP相连，其反相输入端与过载检测模块(71)所输出的第二过载电流I2相连，其输出端与触发器(731)的第一输入端相连；

触发器(731)，其第二输入端分别与第三PMOS管MP3的漏极和第七NMOS管MN7的漏极相连，其输出端分别与第四NMOS管MN4的栅极、第五PMOS管MP5的栅极以及反相器INV的输入端相连；

反相器INV的输出端连接到振荡器(6)；

第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第三PMOS管MP3和第四PMOS管MP4，其栅极均与电流源IT相连，其源极均与其所在芯片的电源电压VCC相连；第一PMOS管MP1的漏极与电流源IT相连，第二PMOS管MP2的漏极与过载检测模块(71)所输出的第二过载电流I2相连，第四PMOS管MP4的漏极与第五PMOS管MP5的源极相连；

第五PMOS管MP5的漏极分别与第五NMOS管MN5、第六NMOS管MN6、第七NMOS管MN7的栅极以及第四NMOS管MN4、第五NMOS管MN5的漏极相连；

第四NMOS管MN4、第五NMOS管MN5和第六NMOS管MN6的源极均接地；

第六NMOS管MN6的漏极、第七NMOS管MN7的源极以及电容C1的一端均与过载检测模块(71)所输出的第二过载电流I2相连，电容C1的另一端接地。