[发明专利]通过层转移制备柔性结构的方法及中间结构和柔性结构有效

专利信息
申请号: 201210560671.4 申请日: 2012-12-20
公开(公告)号: CN103177935B 公开(公告)日: 2017-06-16
发明(设计)人: 胡贝特·莫里索;马克西姆·阿古德;弗兰克·富尔内尔;弗雷德里克·马泽恩;克里斯托弗·莫拉勒斯 申请(专利权)人: 法国原子能及替代能源委员会
主分类号: H01L21/02 分类号: H01L21/02;H01L29/06
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 代理人: 李丙林,张英
地址: 法国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 通过 转移 制备 柔性 结构 方法 中间
【权利要求书】:

1.一种用于制造柔性结构(13)的方法,其特征在于所述方法包括以下步骤:

-在第一有源基底(1)中注入离子物质以形成第一脆化区(3.5),从而限定第一薄膜(3),

-在第二有源基底(2)中注入离子物质以形成第二脆化区(4.6),从而限定第二薄膜(4),

-提供柔性基底(9),其硬度R小于或等于107GPa·μm3

-分别将所述第一和第二薄膜(3、4)固定到所述柔性基底(9)的第一面和第二面上从而形成包括由所述第一和第二脆化区(3.5、4.6)限定的柔性结构(13)的堆叠(12),所述柔性结构(13)具有适合允许转移所述第一和第二薄膜(3、4)的硬化作用,以及

-利用断裂热平衡,从而将所述第一和第二薄膜(3、4)转移到所述柔性基底(9)上。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于所述第一薄膜(3)由单晶材料组成。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于所述第二薄膜(4)由单晶材料组成。

4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于在所述固定步骤之前,所述方法包括以下步骤:

-在所述第一薄膜(3)上和/或在所述柔性基底(9)的第一面上形成至少一个初级硬化膜(7),以及

-在所述第二薄膜(4)上和/或在所述柔性基底(9)的第二面上形成至少一个次级硬化膜(8),所述初级和次级硬化膜(7、8)的累积硬度小于或等于硬度R。

5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于所述方法包括以下步骤:

-在所述第一薄膜(3)上形成所述初级硬化膜(7),

-在所述第二薄膜(4)上形成所述次级硬化膜(8),

并且其中所述固定步骤包括以下步骤:

-在所述初级硬化膜(7)与所述柔性基底(9)的第一面之间形成粘合材料的第一层(11a),以及

-在所述次级硬化膜(8)与所述柔性基底(9)的第二面之间形成粘合材料的第二层(11b),所述粘合材料选自DVS-bis-BCB、聚酰亚胺以及感光性聚合物。

6.根据权利要求4所述的方法,其特征在于所述方法包括以下步骤:

-在所述柔性基底(9)的第一面上形成所述初级硬化膜(7),

-在所述柔性基底(9)的第二面上形成所述次级硬化膜(8),

并且其中所述固定步骤包括在所述初级硬化膜(7)与所述第一薄膜(3)之间直接粘合,以及在所述次级硬化膜(8)与所述第二薄膜(4)之间直接粘合。

7.根据权利要求1至6之一所述的方法,其特征在于用于将离子物质注入到所述第一和第二有源基底(1、2)中的步骤包括用于将不同剂量的离子物质注入到所述第一和第二有源基底(1、2)中的步骤。

8.根据权利要求1至6之一所述的方法,其特征在于用于利用断裂热平衡的步骤包括:

-第一步骤,包括利用第一热平衡从而将所述第一或第二薄膜(3、4)之一转移到所述柔性基底(9)上;以及

-第二步骤,包括利用第二热平衡从而将所述第一或第二薄膜(3、4)的另一个转移到所述柔性基底(9)上。

9.根据权利要求1至6之一所述的方法,其特征在于所述方法包括在所述第一和/或第二转移的薄膜(3、4)的自由面内或其上使用的至少一种微技术或微电子学步骤的应用。

10.根据权利要求2至6之一所述的方法,其特征在于所述方法包括由选择所述初级和次级硬化膜(7、8)的不同厚度组成的步骤。

11.根据权利要求2至6之一所述的方法,其特征在于所述初级和次级硬化膜(7、8)具有包括在0.1微米至30微米之间的厚度,以及大于或等于10GPa的杨氏模量。

12.根据权利要求11所述的方法,其特征在于所述初级和次级硬化膜(7、8)具有包括在0.5微米至20微米之间的厚度,并且包括由SiOxNy或由AlxOy组成的材料。

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