[发明专利]对电连接中具有高迁移率的组分的束缚无效
申请号: | 201210560975.0 | 申请日: | 2008-06-05 |
公开(公告)号: | CN103050420A | 公开(公告)日: | 2013-04-17 |
发明(设计)人: | 约翰·特雷扎 | 申请(专利权)人: | 丘费尔资产股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;B23K35/30 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 吕雁葭 |
地址: | 美国特*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 连接 具有 迁移率 组分 束缚 | ||
1.一种在一对电连接点之间形成电连接的方法,所述方法包括:
将具有组成成分的第一浓度的第一接合金属加热到至少大约所述第一接合金属的熔点,其中第一接合金属包括扩散的可动成分;
当加热所述第一接合金属时,接近所述第一接合金属设置能够与所述第一接合金属相互作用的材料,以便将组成成分的所述第一浓度改变成组成成分的第二浓度,使得所述第一接合金属将变成第二接合金属,其中能够与所述第一接合金属相互作用的材料包括在所述加热期间束缚所述扩散的可动成分的实质部分的阻隔材料,并且其中所述第二接合金属的熔点高于所述第一接合金属的熔点;以及
将所述一对电连接点和第二接合金属冷却至所述第一接合金属的熔点以下。
2.如权利要求1所述的方法,还包括:
在所述冷却之后,将所述连接点对和所述第二接合金属再加热至再加热温度,所述再加热温度等于或者大于所述第一接合金属的熔点,但是小于所述第二接合金属的熔点。
3.如权利要求2所述的方法,还包括在芯片堆叠处理中重复所述再加热多次。
4.如权利要求1所述的方法,其中所述阻隔材料的体积至少是所述阻隔材料和所述扩散的可动成分的组合体积的20%。
5.如权利要求1所述的方法,其中所述第一接合金属和所述电连接点对包括刚性部分和韧性部分,所述方法还包括将刚性部分穿透到所述韧性部分中。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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