[发明专利]一种晶质高折射率光学镀膜材料氧化钽及其制备方法无效
| 申请号： | 201210562240.1 | 申请日： | 2012-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN103046134A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 张健 | 申请（专利权）人： | 上海晶炼新材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/16 | 分类号： | C30B29/16;C30B11/00;C30B28/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 202163 上海市崇明县兴工*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 晶质高 折射率 光学 镀膜 材料 氧化 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶质高折射率光学镀膜材料氧化钽及其制备方法，其特征在于它的制备方法包括以下步骤：步骤一，晶质高折射率光学镀膜材料氧化钽的坯料配制：选用重量比为60-95％氧化钽和5-40％氧化钛的粉体经充分混合、压块，经100～300℃烘干，成为坯料(21)。
步骤二，将所述的坯料(21)装入感应耦合加热装置的坩埚(22)中，再将坩埚(22)放置于发热体(23)内、在发热体(23)之外包围有上保温层(24)、四周保温层(25)和下保温层(26)，在该四周保温层(25)之外设置感应耦合线圈(27)，该感应耦合线圈(27)与感应电源相连，整个感应耦合加热装置置于真空炉中。
步骤三，感应耦合线圈(27)通过电磁耦合感应，坩埚(22)与发热体(23)被动加热，使坩埚(22)温度升高，坩埚(22)内的坯料(21)温度升至恒温温度1800～2000℃，在高温恒温阶段，炉内真空度为4～20Pa，恒温3～6小时，使坩埚(22)内坯料(21)充分熔化；再采用梯度降温工艺让坩埚(22)内坯料(21)缓慢生长成晶体，长晶过程需10-12小时，然后关断电源，随炉降至室温，即可获得所需的晶质高折射率光学镀膜材料氧化钽。
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