[发明专利]一种PSS图形化衬底刻蚀方法有效
| 申请号： | 201210562272.1 | 申请日： | 2012-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN103887375A | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 刘海鹰 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 pss 图形 衬底 刻蚀 方法 | ||
1.一种PSS图形化衬底刻蚀方法，该方法包括：其特征在于，
提供衬底，并在衬底上制作具有所需图形的掩膜；
按照主刻蚀过程对衬底进行刻蚀；
按照过刻蚀过程对衬底进行刻蚀；
结束刻蚀；
其中，所述主刻蚀过程包括N个刻蚀子过程，对于相邻的两个刻蚀子过程，后一个刻蚀子过程所采用的下电极射频功率高于前一个刻蚀子过程所采用的下电极射频功率，N为大于或等于3的整数。
2.如权利要求1所述的PSS刻蚀方法，其特征在于，N为3，所述N个刻蚀子过程分别为第一刻蚀子过程、第二刻蚀子过程、以及第三刻蚀子过程。
3.如权利要求2所述的PSS刻蚀方法，其特征在于，所述第一刻蚀子过程的工艺时间占整个主刻蚀工艺时间的20～40%，所述第二刻蚀子过程的工艺时间占整个主刻蚀工艺时间的40～70%，所述第三刻蚀子过程占整个主刻蚀工艺时间的10～20%。
4.如权利要求2所述的PSS刻蚀方法，其特征在于，所述第一刻蚀子过程、第二刻蚀子过程、以及第三刻蚀子过程所占用的工艺时间的比例为3：4：1。
5.如权利要求1所述的PSS刻蚀方法，其特征在于，所述N小于或等于100。
6.如权利要求1所述的PSS刻蚀方法，其特征在于，所述N小于或等于10。
7.如权利要求1所述的PSS刻蚀方法，其特征在于，各个刻蚀子过程所占用的工艺时间是根据各个刻蚀子过程所使用的下电极射频功率确定的。
8.如权利要求1所述的PSS刻蚀方法，其特征在于，在每一单个刻蚀子过程中，其采用的下电极射频功率是恒定的。
9.如权利要求1所述的PSS刻蚀方法，其特征在于，在每一单个刻蚀子过程中，其采用的下电极射频功率逐渐增加。
10.如权利要求9所述的PSS刻蚀方法，其特征在于，所述下电极射频功率在逐渐增加时的变化率为0～100W/min。
11.如权利要求9所述的PSS刻蚀方法，其特征在于，所述下电极射频功率在逐渐增加时的变化率为0～20W/min。
12.如权利要求1所述的PSS刻蚀方法，其特征在于，所述下电极射频功率的范围是80～700W。
13.如权利要求12所述的PSS刻蚀方法，其特征在于，所述下电极射频功率的范围是80～400W。
14.如权利要求1所述的PSS刻蚀方法，其特征在于，在所述N个刻蚀子过程中，所采用的气压范围是2～30mT，所采用的上电极射频功率范围是1000～3000W，所采用的刻蚀气体流量范围是50～150sccm。
15.如权利要求14所述的PSS刻蚀方法，其特征在于，所述气压范围是2-10mT，所述上电极射频功率范围是1600～2500W，所述刻蚀气体流量范围是50～120sccm。
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