[发明专利]单晶体的制造方法和设备

权利要求书

1.一种用于通过浮区法制造单晶体的方法，其中单晶体在感应加热线圈的支持下在结晶边界的熔化区下方结晶，并且结晶热的散发通过围绕所述单晶体的反射器被阻碍，其特征在于，所述单晶体在结晶边界的外边缘区域中通过第一区中的加热装置被加热，其中所述结晶边界的外边缘处的外三相点T_a与所述结晶边界的中心Z之间的距离Δ受到影响。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述单晶体借助于所述加热装置被加热，以使得所述结晶边界的外边缘处的外三相点T_a与所述结晶边界的中心Z之间的距离Δ不大于在省却所述加热装置的情况下所述外三相点T_a与所述中心Z之间出现的距离Δ′的90%。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述感应加热线圈的电功率被调节，以使得在所述熔化区上端处的内三相点T_i与所述结晶边界的外边缘处的外三相点T_a之间的熔化区中的距离H的选定绝对值不变。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，所述单晶体通过作为加热装置的辐射式加热系统被加热。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，所述单晶体通过作为加热装置的感应式加热系统被加热。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其特征在于，所述加热装置的电功率以取决于所述单晶体长度的方式被控制。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其特征在于，电功率不小于2kW的能量借助于所述加热装置被供至向所述单晶体。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，其特征在于，所述单晶体的借助于所述加热装置所加热的区域沿所述单晶体的纵向自所述外三相点T_a开始具有一长度L，其中所述长度L不大于所述距离Δ。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其特征在于，所述反射器在第二区中阻碍结晶热的散发，所述第二区与所述第一区相邻并且在所述单晶体的纵向上具有一长度S，其中所述长度S与L之和等于所述单晶体的直径D的0.5至1.5倍。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的方法，其特征在于，围绕所述单晶体且吸收热辐射的本体在第三区中有助于结晶热的散发，所述第三区紧随着所述第二区并且自距所述外三相点T_a一距离处起始，其中所述距离至少具有所述单晶体的直径的大小。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的方法，其特征在于，所述熔化区通过由硅构成的多晶供料棒的连续熔化被形成。

12.根据权利要求1至10中任一项所述的方法，其特征在于，所述熔化区通过多晶颗粒硅的连续熔化被形成。

13.一种用于通过浮区法制造单晶体的设备，所述设备包括围绕所述单晶体的反射器以及用于在所述单晶体的结晶边界的外边缘区域内加热所述单晶体的加热装置。

14.根据权利要求13所述的设备，其特征在于，所述加热装置是辐射式加热系统。

15.根据权利要求13所述的设备，其特征在于，所述加热装置是感应式加热系统。

16.根据权利要求13至15中任一项所述的设备，其特征在于，所述加热装置在所述反射器中集成。

17.根据权利要求13至16中任一项所述的设备，其特征在于，所述加热装置的尺寸设置成所述单晶体的由所述加热装置所加热的区域沿所述单晶体的纵向是第一区，其中所述第一区自所述外三相点T_a具有一长度L，其中所述长度L不大于在所述结晶边界的外边缘处的外三相点T_a与所述结晶边界的中心Z之间出现的距离Δ。

18.根据权利要求13至17中任一项所述的设备，其特征在于，所述反射器在第二区中阻碍经所述单晶体的结晶热散发，所述第二区与所述第一区相邻并且沿所述单晶体的纵向具有一长度S，其中所述长度S与L之和等于所述单晶体的直径D的0.5至1.5倍。

19.根据权利要求13至18中任一项所述的设备，其特征在于，所述设备还包括围绕所述单晶体并且吸收热辐射的本体，所述本体在第三区中促进经所述单晶体的结晶热散发，所述第三区紧随着所述第二区并且自距所述外三相点Ta一距离处起始，所述距离至少具有所述单晶体的直径D的大小。