[发明专利]含有Ta的氧化铝薄膜有效
| 申请号： | 201210562375.8 | 申请日： | 2012-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN103173718A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | 前田刚彰;奥野博行 | 申请（专利权）人： | 株式会社神户制钢所;株式会社钢臂功科研 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/34 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 翟赟琪 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 含有 ta 氧化铝 薄膜 | ||
【权利要求书】：
1.一种氧化铝薄膜，其特征在于，含有Ta。
2.根据权利要求1所述的氧化铝薄膜，其在30原子％以下的范围内含有Ta。
3.根据权利要求2所述的氧化铝薄膜，其是通过溅射法进行成膜而得到的膜。
4.根据权利要求3所述的氧化铝薄膜，其是作为绝缘膜或气体屏蔽膜来使用的膜。
5.根据权利要求4所述的氧化铝薄膜，其是用于薄膜晶体管的绝缘膜的膜。
6.根据权利要求5所述的氧化铝薄膜，其中，
所述薄膜晶体管的半导体层包含氧化物，所述氧化物含有选自In、Ga、Zn及Sn中的至少一种元素。
7.一种显示装置，其具有权利要求1～6中任一项所述的氧化铝薄膜。
8.根据权利要求4所述的氧化铝薄膜，其是用于磁记录装置的膜。
9.根据权利要求4所述的氧化铝薄膜，其是用于太阳光发电装置的膜。
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