[发明专利]高性能双银低辐射玻璃及其制备方法无效
申请号: | 201210562713.8 | 申请日: | 2012-12-21 |
公开(公告)号: | CN103879088A | 公开(公告)日: | 2014-06-25 |
发明(设计)人: | 崔平生;曾小绵;唐晶;吕宜超;王小峰 | 申请(专利权)人: | 中国南玻集团股份有限公司 |
主分类号: | B32B17/06 | 分类号: | B32B17/06;B32B15/04;B32B9/04;C03C17/36 |
代理公司: | 深圳冠华专利事务所(普通合伙) 44267 | 代理人: | 夏声平 |
地址: | 518067 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 性能 双银低 辐射 玻璃 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种节能玻璃,尤其是一种高性能双银低辐射玻璃及其制备方法。
背景技术
随着国家节能减排政策的执行力度加大以及人们对低碳环保意识的加强,以低辐射玻璃为代表的节能玻璃在门窗、玻璃幕墙中的应用越来越广泛。低辐射玻璃家族中,节能性能优异的双银低辐射玻璃得到大量应用。
低辐射玻璃是在普通玻璃表面沉积低辐射膜层而成,由于低辐射膜层中含有导电性能优异的银层,所以低辐射膜层的面电阻较低,而辐射率ε与面电阻R□满足公式:ε=0.0106R□,膜层的面电阻越低,辐射率也就越低,对红外热的反射就越高,隔热性能就越好。
现有的双银低辐射玻璃的膜层结构由玻璃面向外依次是:第一复合介质层、第一银层、第一保护层、第二复合介质层、第二银层、第二保护层及第三复合介质层。其中,第一复合介质层、第二复合介质层与第三复合介质层是由一层或多层介质层的组合,所用的材料通常都是电的不良导体,即绝缘材料。现有的双银低辐射玻璃具有较低的面电阻主要是由于两个导电性能优良的银层。增加银层厚度可以降低膜层的面电阻从而提升隔热性能;然而,两个银层的厚度增加是有限度的,银层太厚会降低低辐射玻璃的可见光透过率,消弱玻璃透光的作用。
发明内容
鉴于上述状况,有必要提供一种高性能双银低辐射玻璃及其制备方法,其在具有较佳透光率的前提下,还可提高隔热性能。
本发明提供一种高性能双银低辐射玻璃,其包括玻璃基片,该高性能双银低辐射玻璃还包括依次形成于该玻璃基片上的第一低面电阻透明导电层、第一银层、第一保护层、第二低面电阻透明导电层、第二银层、第二保护层、第三低面电阻透明导电层与顶部保护层。
该第一低面电阻透明导电层、该第二低面电阻透明导电层或该第三低面电阻透明导电层的材料包括氧化铟锡、掺铝氧化锌或掺氟氧化锡。
该第一低面电阻透明导电层、该第二低面电阻透明导电层或该第三低面电阻透明导电层的厚度为10~100nm。
该第一银层或该第二银层的厚度为5~35nm。
该第一银层或该第二银层的厚度为8~20nm。
该第一保护层或该第二保护层的材料为金属、金属氧化物、金属氮化物,合金、合金氧化物或合金氮化物。
该第一保护层或该第二保护层的材料为钛、镍铬合金、镍铬氧化物或镍铬氮化物。
该第一保护层或该第二保护层的厚度为0~10nm。
该顶部保护层的材料为氧化锆,且厚度为5~50nm。
本发明还提供一种高性能双银低辐射玻璃的制作方法,其包括如下步骤:提供玻璃基片;通过磁控溅射或化学气相沉积的方式在该玻璃基片上沉积第一低面电阻透明导电层;通过直流或者直流加脉冲磁控溅射的方式在该第一低面电阻透明导电层上沉积第一银层;通过直流或者直流加脉冲磁控溅射的方式在该第一银层上沉积第一保护层;通过磁控溅射或化学气相沉积的方式在该第一保护层上沉积第二低面电阻透明导电层;通过直流或者直流加脉冲磁控溅射的方式在该第二低面电阻透明导电层上沉积第二银层;通过直流或者直流加脉冲磁控溅射的方式在该第二银层上沉积第二保护层;通过磁控溅射或化学气相沉积的方式在该第二保护层上沉积第三低面电阻透明导电层;及通过直流或者直流加脉冲磁控溅射的方式在该第三低面电阻透明导电层上沉积顶部保护层。
上述高性能双银低辐射玻璃的第一低面电阻透明导电层、第二低面电阻透明导电层与第三低面电阻透明导电层由于具有良好的导电性能及较低的面电阻,因此可降低辐射率,提高双银低辐射玻璃的隔热性能,并且不会影响到双银低辐射玻璃透光率;从而可确保双银低辐射玻璃在具有较佳透光率的前提下,还可提高隔热性能。
附图说明
图1是本发明实施例的高性能双银低辐射玻璃示意图。
具体实施方式
下面将结合附图及实施例对本发明的高性能双银低辐射玻璃及其制备方法作进一步的详细说明。
请参见图1,本发明实施例的高性能双银低辐射玻璃100包括玻璃基片11与依次形成于玻璃基片10上的第一低面电阻透明导电层11、第一银层12、第一保护层13、第二低面电阻透明导电层14、第二银层15、第二保护层16、第三低面电阻透明导电层17与顶部保护层18。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国南玻集团股份有限公司,未经中国南玻集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210562713.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。