[发明专利]有机发光器件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201210562998.5 申请日: 2012-12-21
公开(公告)号: CN103187539A 公开(公告)日: 2013-07-03
发明(设计)人: 南栋熙;李煐九;金禧镇;李学旻 申请(专利权)人: 乐金显示有限公司
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52;H01L51/56
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 吕俊刚;张旭东
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 有机 发光 器件 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种有机发光器件,所述有机发光器件包括:

被划分为第一像素、第二像素和第三像素并且由所述第一像素、所述第二像素和所述第三像素限定的基板;

布置在所述基板上的第一电极和面对所述第一电极的第二电极,所述第二电极与所述第一电极隔开;

在所述第一电极和所述第二电极之间,分别布置在所述第一像素和所述第二像素中的第一发光层和第二发光层;

布置在所述第一发光层和所述第二发光层上的第一三重态激子约束层、第三发光层和第二三重态激子约束层,所述第一三重态激子约束层、所述第三发光层和所述第二三重态激子约束层按此顺序被布置在所述第一像素、所述第二像素以及所述第三像素上方;

布置在包括所述第一发光层和所述第二发光层的层与所述第一电极之间的第一公共层;以及

布置在所述第二三重态激子约束层和所述第二电极之间的第二公共层。

2.根据权利要求1所述的有机发光器件,其中,所述第一三重态激子约束层和所述第二三重态激子约束层具有1.0×10-8cm2/s·V或者更大的电子迁移率和1.0×10-8cm2/s·V或者更大的空穴迁移率。

3.根据权利要求2所述的有机发光器件,其中,所述第一三重态激子约束层的LUMO和HOMO能级与所述第三发光层中包括的宿主和掺杂物的LUMO和HOMO能级相差0.5eV或者更小,并且

所述第二三重态激子约束层的LUMO和HOMO能级与所述第三发光层中包括的宿主和掺杂物的LUMO和HOMO能级相差0.5eV或者更小。

4.根据权利要求3所述的有机发光器件,其中,所述第一三重态激子约束层和所述第二三重态激子约束层的三重态能级高于所述第一发光层、所述第二发光层和所述第三发光层各自的掺杂物的三重态能级。

5.根据权利要求1所述的有机发光器件,其中,所述第一三重态激子约束层具有1nm到15nm的厚度。

6.根据权利要求1所述的有机发光器件,其中,所述第二三重态激子约束层具有1nm到5nm的厚度。

7.根据权利要求1所述的有机发光器件,其中,所述第一三重态激子约束层和所述第二三重态激子约束层由低分子有机材料形成。

8.根据权利要求1所述的有机发光器件,其中,所述第一发光层是红光发光层,所述第二发光层是绿光发光层,所述第三发光层是蓝光发光层。

9.根据权利要求1所述的有机发光器件,其中,所述第一公共层、所述第一发光层和所述第二发光层由溶液材料形成。

10.根据权利要求1所述的有机发光器件,其中,所述基板包括薄膜晶体管阵列,所述薄膜晶体管阵列包括连接到各个像素中的所述第一电极的薄膜晶体管。

11.一种用于制造有机发光器件的方法,所述方法包括以下步骤:

制备基板,该基板被划分为第一像素、第二像素和第三像素并且由所述第一像素、所述第二像素和所述第三像素限定;

在所述基板上形成第一电极;

通过溶液处理在所述第一电极上形成第一公共层;

通过溶液处理在所述第一公共层上分别在所述第一像素和所述第二像素中形成第一发光层和第二发光层;

通过蒸发处理按第一三重态激子约束层、第三发光层和第二三重态激子约束层的顺序,顺序地在所述第一像素、所述第二像素和所述第三像素上方形成所述第一三重态激子约束层、所述第三发光层和所述第二三重态激子约束层,使得这些层覆盖所述第一发光层和所述第二发光层;以及

在所述第二公共层上形成第二电极。

12.根据权利要求11所述的方法,其中,用于形成所述第一公共层、所述第一发光层和所述第二发光层的溶液处理是从喷墨印刷、喷嘴印刷、转印、狭缝涂覆、凹版印刷和热喷射印刷中选择的。

13.根据权利要求11所述的方法,其中,通过沉积小分子有机材料执行形成所述第一三重态激子约束层和所述第二三重态激子约束层的步骤。

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