[发明专利]一种LED外延片生长方法有效
| 申请号： | 201210563126.0 | 申请日： | 2012-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN103107255A | 公开（公告）日： | 2013-05-15 |
| 发明（设计）人： | 苗振林;张宇;牛凤娟 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;刘华联 |
| 地址： | 423038 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 led 外延 生长 方法 | ||
1.一种LED外延片生长方法，其特征在于，在衬底上，依次生长低温GaN缓冲层，不掺杂Si的GaN层，掺杂Si的GaN层，量子阱MWQ，P型AlGaN层和掺杂Mg的P型GaN层，其中所述生长掺杂Si的GaN层包括以下步骤：
1）生长掺杂Si的第一N型GaN层；
2）生长掺杂Si的第二N型GaN层；
3）生长掺杂Si的第三N型GaN层和不掺杂Si的U型GaN层的交替层。
2.如权利要求1所述LED外延片生长方法，其特征在于，所述第三N型GaN层的厚度为5-10nm，所述不掺杂Si的U型GaN层的厚度为2-4nm。
3.如权利要求1或3所述LED外延片生长方法，其特征在于，所述第三N型GaN层的掺杂浓度为3×1018-9×1018cm-3。
4.如权利要求1所述LED外延片生长方法，其特征在于，所述交替层的周期为10-20个周期，总厚度为70nm-280nm。
5.如权利要求上述权利要求任一项所述LED外延片生长方法，其特征在于，所述第一N型GaN层厚度为1.0-1.5μm，掺杂浓度为1×1018-5×1018cm-3。
6.如权利要求上述权利要求任一项所述LED外延片生长方法，其特征在于，所述第二N型GaN层厚度为800-1000nm，掺杂浓度为3×1018-10×1018cm-3。
7.如权利要求上述权利要求任一项所述LED外延片生长方法，其特征在于，所述衬底为（0001）面蓝宝石。
8.如权利要求上述权利要求任一项所述LED外延片生长方法，其特征在于，采用三甲基镓或三乙基镓作为镓源。
9.如权利要求上述权利要求任一项所述LED外延片生长方法，其特征在于，采用三甲基铟作为铟源。
10.如权利要求上述权利要求任一项所述LED外延片生长方法，其特征在于，所述N型掺杂剂为硅烷，所述P型掺杂剂为二茂镁。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湘能华磊光电股份有限公司，未经湘能华磊光电股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210563126.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
