[发明专利]直拉单晶直径测量方法

权利要求书

1.一种直拉单晶直径测量方法，包括利用一个CCD摄像头获取单晶生长图像以及对所述单晶生长图像进行处理，其特征在于，所述CCD摄像头的分辨率高于200万像素，对所述单晶生长图像进行处理包括步骤：提取单晶生长固液界面处的晶体轮廓；将所述晶体轮廓进行拟合，获得椭圆边界；将所述椭圆边界校正成圆形边界；以及获得单晶直径。

2.根据权利要求1所述的直拉单晶直径测量方法，其特征在于：所述晶体轮廓包括内缘和外缘，将所述晶体轮廓进行拟合，获得椭圆边界的步骤中，对所述晶体轮廓的外缘进行拟合。

3.根据权利要求2所述的直拉单晶直径测量方法，其特征在于，将所述晶体轮廓进行拟合，获得椭圆边界的步骤中，还对所述晶体轮廓的内缘进行拟合，并根据内缘与外缘的变化获得单晶直径生长趋势。

4.根据权利要求1所述的直拉单晶直径测量方法，其特征在于，对所述单晶生长图像进行处理过程中，提取单晶生长固液界面处的晶体轮廓之前，利用特征识别模块自动识别测量区域范围。

5.根据权利要求4所述的直拉单晶直径测量方法，其特征在于，自动识别测量区域范围后，提取单晶生长固液界面处的晶体轮廓之前，还包括滤除图像的测量区域范围内的干扰的步骤。

6.根据权利要求1所述的直拉单晶直径测量方法，其特征在于，提取单晶生长固液界面处的晶体轮廓包括步骤：将图像依次进行灰度化和二值化，以及利用轮廓跟踪技术获取单晶生长固液界面处的晶体轮廓。

7.根据权利要求6所述的直拉单晶直径测量方法，其特征在于，使用链码逼近法提取晶体轮廓。

8.根据权利要求1所述的直拉单晶直径测量方法，其特征在于，使用最小二乘法将所述晶体轮廓进行拟合，获得椭圆边界。

9.根据权利要求1所述的直拉单晶直径测量方法，其特征在于，将所述椭圆边界校正成圆形边界的步骤中，根据CCD摄像头的光轴与熔体液面的夹角α，对椭圆边界的像素点的横坐标x进行校正，校正后所得圆形边界的像素点的横坐标x′＝x/cosα。