[发明专利]一种纳米级图形化衬底的制造方法有效
申请号: | 201210563911.6 | 申请日: | 2012-12-21 |
公开(公告)号: | CN103066170A | 公开(公告)日: | 2013-04-24 |
发明(设计)人: | 毕少强 | 申请(专利权)人: | 映瑞光电科技(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 郑玮 |
地址: | 201306 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 纳米 图形 衬底 制造 方法 | ||
1.一种纳米级图形化衬底的制造方法,包括:
提供衬底,在所述衬底上形成导电层;
在所述导电层上使用电沉积工艺形成金属纳米颗粒,所述金属与导电层的材质不同;
以所述金属纳米颗粒作为掩膜,刻蚀所述导电层,形成图形化的导电层;
以所述图形化的导电层为掩膜,刻蚀所述衬底;
去除所述图形化的导电层和金属纳米颗粒,形成纳米级图形化衬底。
2.如权利要求1所述的纳米级图形化衬底的制造方法,其特征在于:所述导电层为Ag、Au、Cu形成的金属层或ITO膜层。
3.如权利要求1所述的纳米级图形化衬底的制造方法,其特征在于:所述导电层的厚度为10nm~100nm。
4.如权利要求1所述的纳米级图形化衬底的制造方法,其特征在于:所述电沉积工艺沉积的金属材质为Ag、Au或Cu。
5.如权利要求1所述的纳米级图形化衬底的制造方法,其特征在于:形成金属纳米颗粒的电沉积工艺时间为5秒~15秒。
6.如权利要求1所述的纳米级图形化衬底的制造方法,其特征在于:利用湿法刻蚀工艺或等离子刻蚀工艺刻蚀所述导电层。
7.如权利要求6所述的纳米级图形化衬底的制造方法,其特征在于:所述湿法刻蚀工艺的刻蚀液为FeCl3。
8.如权利要求1所述的纳米级图形化衬底的制造方法,其特征在于:利用湿法刻蚀工艺或等离子刻蚀工艺刻蚀所述衬底。
9.如权利要求1所述的纳米级图形化衬底的制造方法,其特征在于:利用化学机械研磨或刻蚀工艺去除所述图形化的导电层和金属纳米颗粒。
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