[发明专利]背照式CMOS影像传感器的制造方法

权利要求书

1.一种背照式CMOS影像传感器的制造方法，其特征在于，包括：

提供器件晶圆及功能器件；

利用键合工艺将所述器件晶圆及功能器件结合在一起；

利用金属硬掩膜作为掩膜，刻蚀所述器件晶圆及功能器件，形成接触孔。

2.如权利要求1所述的背照式CMOS影像传感器的制造方法，其特征在于，所述金属硬掩膜为Ta金属硬掩膜、Tan金属硬掩膜、Ti金属硬掩膜或者TiN金属硬掩膜。

3.如权利要求1所述的背照式CMOS影像传感器的制造方法，其特征在于，所述金属硬掩膜的厚度为500埃~2000埃。

4.如权利要求1至3中的任一项所述的背照式CMOS影像传感器的制造方法，其特征在于，还包括：填充所述接触孔，形成连接所述器件晶圆及功能器件的连接层。

5.如权利要求4所述的背照式CMOS影像传感器的制造方法，其特征在于，所述器件晶圆包括第一连接金属，所述功能器件包括第二连接金属，通过所述连接层将所述第一连接金属及第二连接金属连通。

6.如权利要求5所述的背照式CMOS影像传感器的制造方法，其特征在于，形成接触孔的工艺包括如下步骤：

刻蚀所述器件晶圆，形成第一接触孔，所述第一接触孔露出所述第一连接金属；

刻蚀所述功能器件或者刻蚀所述器件晶圆和功能器件，形成第二接触孔，所述第二接触孔露出所述第二连接金属。

7.如权利要求6所述的背照式CMOS影像传感器的制造方法，其特征在于，在形成第一接触孔时，以光阻或者金属硬掩膜作为掩膜；在形成第二接触孔时，以金属硬掩膜作为掩膜。

8.如权利要求7所述的背照式CMOS影像传感器的制造方法，其特征在于，当利用光阻作为掩膜时，所述光阻的厚度为5000埃~15000埃。

9.如权利要求5所述的背照式CMOS影像传感器的制造方法，其特征在于，形成接触孔的工艺包括如下步骤：

刻蚀所述器件晶圆和功能器件，形成第一接触孔，所述第一接触孔露出所述第二连接金属；

刻蚀所述器件晶圆，形成第二接触孔，所述第二接触孔露出所述第一连接金属。

10.如权利要求9所述的背照式CMOS影像传感器的制造方法，其特征在于，在形成第一接触孔时，以金属硬掩膜作为掩膜；在形成第二接触孔时，以光阻或者金属硬掩膜作为掩膜。

11.如权利要求9所述的背照式CMOS影像传感器的制造方法，其特征在于，通过两步刻蚀工艺形成所述第一接触孔，该两步刻蚀工艺包括：

第一步刻蚀工艺：利用光阻作为掩膜，对所述器件晶圆执行刻蚀工艺，形成部分第一接触孔；

第二步刻蚀工艺，利用金属硬掩膜作为掩膜，对所述功能器件或者对所述器件晶圆和功能器件执行刻蚀工艺，形成完整的第一接触孔。