[发明专利]用于减少拐角圆化的具有光学邻近度校正的切分拆分

权利要求书

1.一种集成电路(IC)方法，包括：

接收具有主要特征的IC设计布局，所述主要特征包括两个拐角和跨越于所述两个拐脚之间的边；

对所述边执行特征调节；

对所述边执行切分，从而将所述边划分成包括两个拐角段和位于所述两个拐角段之间的中心段；

针对与所述中心段关联的中心目标对所述主要特征执行第一光学邻近度校正(OPC)；

随后针对与所述拐角段关联的两个拐角目标对所述主要特征执行第二OPC；以及

随后针对所述中心目标对所述主要特征执行第三OPC，从而产生修改的IC设计布局。

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括至少再重复执行一次所述第一OPC、所述第二OPC和所述第三OPC。

3.根据权利要求1所述的方法，进一步包括在执行所述第三OPC之后对所述IC设计布局的所述主要特征执行掩模规则校验(MRC)。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，执行所述MRC包括根据掩模规则修改所述拐角段和所述中心段中的一个。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，执行所述第二OPC包括对所述拐角段中的至少一个段进行重新定位。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，执行所述第二OPC包括向所述主要特征的相应拐角添加衬线特征。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，执行所述第二OPC包括添加与所述主要特征的相应拐角近似并且与所述主要特征隔开的辅助特征，所述辅助特征为子分辨率特征。

8.根据权利要求1所述的方法，进一步包括分别向所述两个拐角段的所述两个拐角分配所述两个拐角目标。

9.一种集成电路(IC)方法，包括：

接收具有主要特征的IC设计布局，所述主要特征包括第一拐角和第二拐角以及跨越于所述第一拐角与所述第二拐角之间的边；

对所述主要特征的所述边执行切分，由此生成中心段、第一拐角段和第二拐角段；

分别向所述主要特征的所述第一拐角段、所述第二拐角段和所述中心段分配第一拐角目标、第二拐角目标和中心目标；以及

对所述IC设计布局执行光学邻近度校正(OPC)处理。

10.一种集成电路(IC)设计方法，包括：

接收具有主要特征的IC设计布局；

对所述主要特征执行第一切分，限定所述主要特征的边，其中，所述边结束于所述主要特征的两个拐角；

根据设计规则对所述边执行调整；

对所述主要特征的所述边执行第二切分，将所述边拆分成第一拐角段、第二拐角段和设置于所述第一拐角段与所述第二拐角段之间的中心段；

分别向所述主要特征的所述第一拐角段、所述第二拐角段和所述中心段分配第一拐角目标、第二拐角目标和中心目标；以及

对所述IC设计布局执行光学邻近度校正(OPC)处理。